S2GHE3_A/Iの技術仕様
Vishay General Semiconductor - Diodes Division - S2GHE3_A/I技術仕様、属性、パラメーター、およびVishay General Semiconductor - Diodes Division - S2GHE3_A/I仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | Vishay General Semiconductor – Diodes Division | |
| 電圧 - フォワード（VF）（最大）の場合@ | 1.15 V @ 1.5 A | |
| 電圧 - 逆（VR）（最大） | 400 V | |
| 技術 | Standard | |
| サプライヤデバイスパッケージ | DO-214AA (SMB) | |
| 速度 | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | |
| シリーズ | Automotive, AEC-Q101 | |
| 逆回復時間（trrの） | 2 µs |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| パッケージ/ケース | DO-214AA, SMB | |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) | |
| 動作温度 - ジャンクション | -55°C ~ 150°C | |
| 装着タイプ | Surface Mount | |
| 電流 - 漏れ@ Vrとリバース | 1 µA @ 400 V | |
| 電流 - 平均整流（イオ） | 1.5A | |
| Vrと、F @キャパシタンス | 16pF @ 4V, 1MHz | |
| 基本製品番号 | S2G |
右側の三つのパーツはVishay General Semiconductor - Diodes Division S2GHE3_A/Iと同様の仕様
| 製品属性 |  |
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|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | S2GHE3_A/I | S2G-E3/52T | S2GA-13-F | S2GHE3/5BT |
| メーカー | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Diodes Incorporated | Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
| シリーズ | Automotive, AEC-Q101 | - | - | Automotive, AEC-Q101 |
| 電流 - 平均整流（イオ） | 1.5A | 1.5A | 1.5A | 1.5A |
| 速度 | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| サプライヤデバイスパッケージ | DO-214AA (SMB) | DO-214AA (SMB) | SMA | DO-214AA (SMB) |
| 電圧 - フォワード（VF）（最大）の場合@ | 1.15 V @ 1.5 A | 1.15 V @ 1.5 A | 1.15 V @ 1.5 A | 1.15 V @ 1.5 A |
| 逆回復時間（trrの） | 2 µs | 2 µs | - | 2 µs |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
| 電流 - 漏れ@ Vrとリバース | 1 µA @ 400 V | 1 µA @ 400 V | 5 µA @ 400 V | 1 µA @ 400 V |
| パッケージ/ケース | DO-214AA, SMB | DO-214AA, SMB | DO-214AC, SMA | DO-214AA, SMB |
| 動作温度 - ジャンクション | -55°C ~ 150°C | -55°C ~ 150°C | -65°C ~ 150°C | -55°C ~ 150°C |
| Vrと、F @キャパシタンス | 16pF @ 4V, 1MHz | 16pF @ 4V, 1MHz | 20pF @ 4V, 1MHz | 16pF @ 4V, 1MHz |
| 電圧 - 逆（VR）（最大） | 400 V | 400 V | 400 V | 400 V |
| 技術 | Standard | Standard | Standard | Standard |
| 装着タイプ | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| 基本製品番号 | S2G | S2G | S2G | S2G |
S2GHE3_A/I - Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionのS2GHE3_A/I PDFデータテーブルとVishay General Semiconductor - Diodes Divisionドキュメントをダウンロード
S2G-E3/52TVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE GEN PURP 400V 1.5A DO214AAS2GA-13-FDiodes IncorporatedDIODE GEN PURP 400V 1.5A SMAS2GHE3/5BTVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE GEN PURP 400V 1.5A DO214AA
S2G3SS-301M-E01SEMITEL
S2GHE3/52TElectro-Films (EFI) / Vishay
S2GOCURSENSETLI4971TOBO1Infineon TechnologiesSENSOR BOARDS2GA-13Diodes IncorporatedDIODE GEN PURP 400V 1.5A SMAS2G/2BElectro-Films (EFI) / VishayS2G-6600E3/52TElectro-Films (EFI) / Vishay
S2GA-13-F-71Diodes IncorporatedS2G-13-FDiodes IncorporatedDIODE GEN PURP 400V 1.5A SMBS2G3SS-231M-E01SEMITELS2G-E3/61TElectro-Films (EFI) / Vishay
S2GA R3Taiwan SemiconductorS2GHE3/61TElectro-Films (EFI) / VishayS2GHE3Electro-Films (EFI) / VishayS2GHE3_A/HVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE GEN PURP 400V 1.5A DO214AAS2GHE3/55TElectro-Films (EFI) / Vishay| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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