RMB4S-E3/80の技術仕様
Vishay General Semiconductor - Diodes Division - RMB4S-E3/80技術仕様、属性、パラメーター、およびVishay General Semiconductor - Diodes Division - RMB4S-E3/80仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | Vishay General Semiconductor – Diodes Division | |
| 電圧 - ピーク逆（最大） | 400 V | |
| 電圧 - フォワード（VF）（最大）の場合@ | 1.25 V @ 400 mA | |
| 技術 | Standard | |
| サプライヤデバイスパッケージ | TO-269AA (MBS) | |
| シリーズ | - | |
| パッケージ/ケース | TO-269AA, 4-BESOP |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| パッケージ | Tape & Reel (TR) | |
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| 装着タイプ | Surface Mount | |
| ダイオードタイプ | Single Phase | |
| 電流 - 漏れ@ Vrとリバース | 5 µA @ 400 V | |
| 電流 - 平均整流（イオ） | 500 mA | |
| 基本製品番号 | RMB4 |
| 属性 | 説明 |
|---|---|
| RoHS ステータス | |
| 湿度感度レベル（MSL） | 1 (Unlimited) |
| 州に到達します | REACH Unaffected |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS | 8541.10.0070 |
右側の三つのパーツはVishay General Semiconductor - Diodes Division RMB4S-E3/80と同様の仕様
| 製品属性 |  |
 |
 |
 |
|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | RMB4S-E3/80 | VUO36-16NO8 | SBR2A40BLP-13 | GBPC12005 |
| メーカー | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | IXYS | Diodes Incorporated | onsemi |
| 基本製品番号 | RMB4 | VUO36 | SBR2A40 | GBPC12 |
| サプライヤデバイスパッケージ | TO-269AA (MBS) | FO-B | V-DFN5060-4 | GBPC |
| 電流 - 平均整流（イオ） | 500 mA | 27 A | 2 A | 12 A |
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | -40°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 電圧 - ピーク逆（最大） | 400 V | 1.6 kV | 40 V | 50 V |
| シリーズ | - | - | Automotive, AEC-Q101, SBR® | - |
| 電圧 - フォワード（VF）（最大）の場合@ | 1.25 V @ 400 mA | 1.04 V @ 15 A | 500 mV @ 2 A | 1.1 V @ 6 A |
| 装着タイプ | Surface Mount | QC Terminal | Surface Mount | QC Terminal |
| 技術 | Standard | Standard | Super Barrier | Standard |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) | Box | Tape & Reel (TR) | Bulk |
| パッケージ/ケース | TO-269AA, 4-BESOP | 5-Square, FO-B | 4-VDFN | 4-Square, GBPC |
| ダイオードタイプ | Single Phase | Three Phase | Single Phase | Single Phase |
| 電流 - 漏れ@ Vrとリバース | 5 µA @ 400 V | 40 µA @ 1600 V | 100 µA @ 40 V | 5 µA @ 50 V |
RMB4S-E3/80 - Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionのRMB4S-E3/80 PDFデータテーブルとVishay General Semiconductor - Diodes Divisionドキュメントをダウンロード
VUO36-16NO8IXYSBRIDGE RECT 3P 1.6KV 27A FO-BSBR2A40BLP-13Diodes IncorporatedBRIDGE RECT 1P 40V 2A DFN5060-4
RMB4D1970PA20SROJWINGBPC12005onsemiBRIDGE RECT 1PHASE 50V 12A GBPC
KBP210GSMC Diode SolutionsBRIDGE RECT 1PHASE 1KV 2A KBP
KBPC610Diotec Semiconductor1PH BRIDGE KBPC 1000V 6AGBPC3502onsemiBRIDGE RECT 1PHASE 200V 35A GBPC
VBO20-16AO2IXYSBRIDGE RECT 1P 1.6KV 31A FO-ARMB2S-E3/80Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionBRIDGE RECT 3P 200V TO269AARMB66203/21ERICSSON
RMBA09501onsemiIC RF AMP CELL 849-869MHZ 12SMD
GBU4J-E3/51Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionBRIDGE RECT 1PHASE 600V 4A GBU
CDBHM250L-HFComchip TechnologyBRIDGE RECT 1PHASE 50V 2A MBS-2
GBPC1506WGeneSiC SemiconductorBRIDGE RECT 1P 600V 15A GBPC-W
GBU604Taiwan Semiconductor CorporationBRIDGE RECT 1PHASE 400V 6A GBU
RMB6S RCTaiwan SemiconductorRMB4S-E3/45Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionBRIDGE RECT 3P 400V TO269AARMBA19500onsemiIC AMP CDMA 1.93-1.99GHZ 12SMD| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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