MSE1PDHM3/89Aの技術仕様
Vishay General Semiconductor - Diodes Division - MSE1PDHM3/89A技術仕様、属性、パラメーター、およびVishay General Semiconductor - Diodes Division - MSE1PDHM3/89A仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | Vishay General Semiconductor – Diodes Division | |
| 電圧 - フォワード（VF）（最大）の場合@ | 1.1 V @ 1 A | |
| 電圧 - 逆（VR）（最大） | 200 V | |
| 技術 | Standard | |
| サプライヤデバイスパッケージ | MicroSMP (DO-219AD) | |
| 速度 | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | |
| シリーズ | Automotive, AEC-Q101, eSMP® | |
| 逆回復時間（trrの） | 780 ns |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| パッケージ/ケース | MicroSMP | |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) | |
| 動作温度 - ジャンクション | -55°C ~ 175°C | |
| 装着タイプ | Surface Mount | |
| 電流 - 漏れ@ Vrとリバース | 1 µA @ 200 V | |
| 電流 - 平均整流（イオ） | 1A | |
| Vrと、F @キャパシタンス | 5pF @ 4V, 1MHz | |
| 基本製品番号 | MSE1 |
右側の三つのパーツはVishay General Semiconductor - Diodes Division MSE1PDHM3/89Aと同様の仕様
| 製品属性 |  |
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|
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|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | MSE1PDHM3/89A | MSE1PGHM3/89A | MSE1PG-M3/89A | MSE1PJHM3/89A |
| メーカー | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
| 電圧 - 逆（VR）（最大） | 200 V | 400 V | 400 V | 600 V |
| 速度 | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| サプライヤデバイスパッケージ | MicroSMP (DO-219AD) | MicroSMP (DO-219AD) | MicroSMP (DO-219AD) | MicroSMP (DO-219AD) |
| Vrと、F @キャパシタンス | 5pF @ 4V, 1MHz | 5pF @ 4V, 1MHz | 5pF @ 4V, 1MHz | 5pF @ 4V, 1MHz |
| 基本製品番号 | MSE1 | MSE1 | MSE1 | MSE1 |
| パッケージ/ケース | MicroSMP | MicroSMP | MicroSMP | MicroSMP |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
| 逆回復時間（trrの） | 780 ns | 780 ns | 780 ns | 780 ns |
| 動作温度 - ジャンクション | -55°C ~ 175°C | -55°C ~ 175°C | -55°C ~ 175°C | -55°C ~ 175°C |
| 電圧 - フォワード（VF）（最大）の場合@ | 1.1 V @ 1 A | 1.1 V @ 1 A | 1.1 V @ 1 A | 1.1 V @ 1 A |
| 装着タイプ | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| 技術 | Standard | Standard | Standard | Standard |
| シリーズ | Automotive, AEC-Q101, eSMP® | Automotive, AEC-Q101, eSMP® | eSMP® | Automotive, AEC-Q101, eSMP® |
| 電流 - 漏れ@ Vrとリバース | 1 µA @ 200 V | 1 µA @ 400 V | 1 µA @ 400 V | 1 µA @ 600 V |
| 電流 - 平均整流（イオ） | 1A | 1A | 1A | 1A |
MSE1PDHM3/89A - Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionのMSE1PDHM3/89A PDFデータテーブルとVishay General Semiconductor - Diodes Divisionドキュメントをダウンロード
MSE8CTGFreescale / NXP SemiconductorsMSE1PGHM3/89AVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE GEN PURP 400V 1A MICROSMPMSE1PG-M3/89AVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE GEN PURP 400V 1A MICROSMP
MSE1PG-M3P/HElectro-Films (EFI) / VishayMSE1PJ-61HM3J/89AElectro-Films (EFI) / VishayMSE1PJHM3/89AVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE GEN PURP 600V 1A MICROSMP
MSE510MSTARMSE123TMSEMSEMF05LCSHANGHAIMSE1PJHM3/89Electro-Films (EFI) / VishayMSE1PB-M3/89AVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE GEN PURP 100V 1A MICROSMPMSEA10603V12A0INPAQ Technology Co., Ltd.MSESD0511TMSKSEMIMSE1PJ-M3/89AVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE GEN PURP 600V 1A MICROSMPMSE1PJ-M3Electro-Films (EFI) / VishayMSEMF12LCCWILLAS
VS-8EWH06FNTRLHM3Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE GEN PURP 600V 8A D-PAKMSE1PDHM389AElectro-Films (EFI) / Vishay| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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