MBR10H150CT-E3/45の技術仕様
Vishay General Semiconductor - Diodes Division - MBR10H150CT-E3/45技術仕様、属性、パラメーター、およびVishay General Semiconductor - Diodes Division - MBR10H150CT-E3/45仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | Vishay General Semiconductor – Diodes Division | |
| 電圧 - フォワード（VF）（最大）の場合@ | 880 mV @ 5 A | |
| 電圧 - 逆（VR）（最大） | 150 V | |
| 技術 | Schottky | |
| サプライヤデバイスパッケージ | TO-220-3 | |
| 速度 | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | |
| シリーズ | - | |
| パッケージ/ケース | TO-220-3 |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| パッケージ | Tube | |
| 動作温度 - ジャンクション | -65°C ~ 175°C | |
| 装着タイプ | Through Hole | |
| ダイオード構成 | 1 Pair Common Cathode | |
| 電流 - 漏れ@ Vrとリバース | 5 µA @ 150 V | |
| 電流 - 平均整流（イオ）（ダイオード当たり） | 5A | |
| 基本製品番号 | MBR10 |
| 属性 | 説明 |
|---|---|
| RoHS ステータス | |
| 湿度感度レベル（MSL） | 1 (Unlimited) |
| 州に到達します | REACH Unaffected |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS |
右側の三つのパーツはVishay General Semiconductor - Diodes Division MBR10H150CT-E3/45と同様の仕様
| 製品属性 |  |
 |
 |
 |
|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | MBR10H150CT-E3/45 | MBR10H100CT | MBR10H150CT_T0_00001 | MBR10H150CT |
| メーカー | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | onsemi | Panjit International Inc. | Taiwan Semiconductor Corporation |
| 基本製品番号 | MBR10 | MBR10 | MBR10 | MBR10 |
| 装着タイプ | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
| 電圧 - フォワード（VF）（最大）の場合@ | 880 mV @ 5 A | 730 mV @ 5 A | 850 mV @ 5 A | 970 mV @ 10 A |
| パッケージ/ケース | TO-220-3 | TO-220-3 | TO-220-3 | TO-220-3 |
| サプライヤデバイスパッケージ | TO-220-3 | TO-220 | TO-220AB | TO-220AB |
| 電圧 - 逆（VR）（最大） | 150 V | 100 V | 150 V | 150 V |
| 動作温度 - ジャンクション | -65°C ~ 175°C | 175°C (Max) | -55°C ~ 175°C | -55°C ~ 175°C |
| 速度 | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| 電流 - 平均整流（イオ）（ダイオード当たり） | 5A | 5A | 5A | 10A |
| ダイオード構成 | 1 Pair Common Cathode | 1 Pair Common Cathode | 1 Pair Common Cathode | 1 Pair Common Cathode |
| 電流 - 漏れ@ Vrとリバース | 5 µA @ 150 V | 3.5 µA @ 100 V | 500 nA @ 150 V | 5 µA @ 150 V |
| パッケージ | Tube | Tube | Tube | Tube |
| シリーズ | - | SWITCHMODE™ | MBR10H150CT | - |
| 技術 | Schottky | Schottky | Schottky | Schottky |
MBR10H150CT-E3/45 - Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionのMBR10H150CT-E3/45 PDFデータテーブルとVishay General Semiconductor - Diodes Divisionドキュメントをダウンロード
MBR10H45mbr10b150fcthSIRECTMBR10H45CTMBR10H100CTonsemiDIODE ARRAY SCHOTTKY 100V TO220MBR10B100FCTH,10100SIAECTMBR10H150CT_T0_00001Panjit International Inc.ULTRA LOW IR SCHOTTKY BARRIER REMBR10H150CTTaiwan Semiconductor CorporationDIODE SCHOTTKY 150V 10A TO220ABMBR10B100FCTHSIRECTMBR10H150FCTMBR10L60CTGonsemiDIODE ARRAY SCHOTTKY 60V TO220ABMBR10H100CT-E3/45Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE ARRAY SCHOTTKY 100V TO220MBR10L100CTTaiwan Semiconductor CorporationDIODE ARRAY SCHOTTKY 100V TO220MBR10H200CTTaiwan Semiconductor CorporationDIODE SCHOTTKY 200V 10A TO220AB
MBR10H200CT-E3/45Electro-Films (EFI) / VishayMBR10H100CTTaiwan Semiconductor CorporationDIODE ARRAY SCHOTTKY 100V TO220
MBR10H100-E3/45Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE SCHOTTKY 100V 10A TO220ACMBR10L100CTHTaiwan Semiconductor Corporation10A, 100V, SCHOTTKY RECTIFIERMBR10H100CTGonsemiDIODE ARRAY SCHOTTKY 100V TO220| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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