GL41J-E3/97の技術仕様
Vishay General Semiconductor - Diodes Division - GL41J-E3/97技術仕様、属性、パラメーター、およびVishay General Semiconductor - Diodes Division - GL41J-E3/97仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | Vishay General Semiconductor – Diodes Division | |
| 電圧 - フォワード（VF）（最大）の場合@ | 1.1 V @ 1 A | |
| 電圧 - 逆（VR）（最大） | 600 V | |
| 技術 | Standard | |
| サプライヤデバイスパッケージ | DO-213AB | |
| 速度 | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | |
| シリーズ | SUPERECTIFIER® | |
| パッケージ/ケース | DO-213AB, MELF (Glass) |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| パッケージ | Tape & Reel (TR) | |
| 動作温度 - ジャンクション | -65°C ~ 175°C | |
| 装着タイプ | Surface Mount | |
| 電流 - 漏れ@ Vrとリバース | 10 µA @ 600 V | |
| 電流 - 平均整流（イオ） | 1A | |
| Vrと、F @キャパシタンス | 8pF @ 4V, 1MHz | |
| 基本製品番号 | GL41 |
| 属性 | 説明 |
|---|---|
| RoHS ステータス | |
| 湿度感度レベル（MSL） | 1 (Unlimited) |
| 州に到達します | REACH Unaffected |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS |
右側の三つのパーツはVishay General Semiconductor - Diodes Division GL41J-E3/97と同様の仕様
| 製品属性 |  |
 |
|
|
|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | GL41J-E3/97 | GL41GHE3/97 | GL41Y-E3/96 | GL41M-E3/96 |
| メーカー | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
| 装着タイプ | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| 電圧 - 逆（VR）（最大） | 600 V | 400 V | 1600 V | 1000 V |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
| シリーズ | SUPERECTIFIER® | SUPERECTIFIER® | SUPERECTIFIER® | SUPERECTIFIER® |
| 技術 | Standard | Standard | Standard | Standard |
| 動作温度 - ジャンクション | -65°C ~ 175°C | -65°C ~ 175°C | -65°C ~ 175°C | -65°C ~ 175°C |
| 電圧 - フォワード（VF）（最大）の場合@ | 1.1 V @ 1 A | 1.1 V @ 1 A | 1.2 V @ 1 A | 1.2 V @ 1 A |
| Vrと、F @キャパシタンス | 8pF @ 4V, 1MHz | 8pF @ 4V, 1MHz | 8pF @ 4V, 1MHz | 8pF @ 4V, 1MHz |
| 速度 | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| 電流 - 漏れ@ Vrとリバース | 10 µA @ 600 V | 10 µA @ 400 V | 10 µA @ 1600 V | 10 µA @ 1000 V |
| サプライヤデバイスパッケージ | DO-213AB | DO-213AB | DO-213AB | DO-213AB |
| 電流 - 平均整流（イオ） | 1A | 1A | 1A | 1A |
| パッケージ/ケース | DO-213AB, MELF (Glass) | DO-213AB, MELF (Glass) | DO-213AB, MELF (Glass) | DO-213AB, MELF (Glass) |
| 基本製品番号 | GL41 | GL41 | GL41 | GL41 |
GL41J-E3/97 - Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionのGL41J-E3/97 PDFデータテーブルとVishay General Semiconductor - Diodes Divisionドキュメントをダウンロード
GL41J/26GS/VISHAYGL41GHE3/97Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE GEN PURP 400V 1A DO213ABGL41Y-E3/96Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE GEN PURP 1.6KV 1A DO213ABGL41M-E3/96Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE GEN PURP 1KV 1A DO213ABGL41G-TRGS
GL41M/26Electro-Films (EFI) / VishayGL41G/25Electro-Films (EFI) / VishayGL4734A/46Electro-Films (EFI) / VishayGL41J-E3/96Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE GEN PURP 600V 1A DO213ABGL41G-E3/76Electro-Films (EFI) / Vishay
GL451VE0000FSharp MicroelectronicsGL41G-E3/96Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE GEN PURP 400V 1A DO213AB
GL4800E0000FSharp MicroelectronicsEMITTER IR 950NM 50MA RADIALGL41G-2Electro-Films (EFI) / VishayGL451VSharp MicroelectronicsGL41D/25Electro-Films (EFI) / VishayGL41D/46Electro-Films (EFI) / Vishay
GL480E00000FSHARP/Socle TechnologyEMITTER IR 950NM 50MA RADIAL| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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