ES1B-E3/61Tの技術仕様
Vishay General Semiconductor - Diodes Division - ES1B-E3/61T技術仕様、属性、パラメーター、およびVishay General Semiconductor - Diodes Division - ES1B-E3/61T仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | Vishay General Semiconductor – Diodes Division | |
| 電圧 - フォワード（VF）（最大）の場合@ | 920 mV @ 1 A | |
| 電圧 - 逆（VR）（最大） | 100 V | |
| 技術 | Standard | |
| サプライヤデバイスパッケージ | DO-214AC (SMA) | |
| 速度 | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | |
| シリーズ | - | |
| 逆回復時間（trrの） | 25 ns |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| パッケージ/ケース | DO-214AC, SMA | |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) | |
| 動作温度 - ジャンクション | -55°C ~ 150°C | |
| 装着タイプ | Surface Mount | |
| 電流 - 漏れ@ Vrとリバース | 5 µA @ 100 V | |
| 電流 - 平均整流（イオ） | 1A | |
| Vrと、F @キャパシタンス | 10pF @ 4V, 1MHz | |
| 基本製品番号 | ES1 |
右側の三つのパーツはVishay General Semiconductor - Diodes Division ES1B-E3/61Tと同様の仕様
| 製品属性 |  |
 |
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|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | ES1B-E3/61T | ES1B-13-F | ES1AHE3_A/H | ES1A-E3/61T |
| メーカー | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Diodes Incorporated | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
| パッケージ/ケース | DO-214AC, SMA | DO-214AC, SMA | DO-214AC, SMA | DO-214AC, SMA |
| 装着タイプ | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| 電圧 - フォワード（VF）（最大）の場合@ | 920 mV @ 1 A | 920 mV @ 1 A | 920 mV @ 1 A | 920 mV @ 1 A |
| 技術 | Standard | Standard | Standard | Standard |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
| サプライヤデバイスパッケージ | DO-214AC (SMA) | SMA | DO-214AC (SMA) | DO-214AC (SMA) |
| 電圧 - 逆（VR）（最大） | 100 V | 100 V | 50 V | 50 V |
| 電流 - 平均整流（イオ） | 1A | 1A | 1A | 1A |
| シリーズ | - | - | Automotive, AEC-Q101 | - |
| 基本製品番号 | ES1 | ES1B | ES1 | ES1 |
| 電流 - 漏れ@ Vrとリバース | 5 µA @ 100 V | 5 µA @ 100 V | 5 µA @ 50 V | 5 µA @ 50 V |
| 逆回復時間（trrの） | 25 ns | 25 ns | 25 ns | 25 ns |
| Vrと、F @キャパシタンス | 10pF @ 4V, 1MHz | 10pF @ 4V, 1MHz | 10pF @ 4V, 1MHz | 10pF @ 4V, 1MHz |
| 速度 | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| 動作温度 - ジャンクション | -55°C ~ 150°C | -55°C ~ 150°C | -55°C ~ 150°C | -55°C ~ 150°C |
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ES1B-13-FDiodes IncorporatedDIODE GEN PURP 100V 1A SMAES1AHE3_A/HVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE GEN PURP 50V 1A DO214AC
ES1B/13TElectro-Films (EFI) / Vishay
ES1B F3Taiwan SemiconductorES1A-E3/61TVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE GEN PURP 50V 1A DO214AC
ES1B-TMicrel / Microchip Technology
ES1B-2GSI TechnologyES1BT/RPANJITES1A-M3/61TVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE GEN PURP 50V 1A DO214ACES1B-2/5ATElectro-Films (EFI) / VishayES1BL R2GTaiwan SemiconductorES1B/61TElectro-Films (EFI) / VishayES1A-E3/61Electro-Films (EFI) / Vishay
ES1B-LTPMicro Commercial CoDIODE GEN PURP 100V 1A DO214AC
ES1A_NLFairchild (onsemi)ES1B-NLFSC
ES1B-TPMicro Commercial CoDIODE GEN PURP 100V 1A DO214ACES1B T/RPANJIT| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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