BZD27C75P-HE3-08の技術仕様
Vishay General Semiconductor - Diodes Division - BZD27C75P-HE3-08技術仕様、属性、パラメーター、およびVishay General Semiconductor - Diodes Division - BZD27C75P-HE3-08仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | Vishay General Semiconductor – Diodes Division | |
| 電圧 - ツェナー（公称値）（Vzは） | 75 V | |
| 電圧 - フォワード（VF）（最大）の場合@ | 1.2 V @ 200 mA | |
| 公差 | - | |
| サプライヤデバイスパッケージ | DO-219AB (SMF) | |
| シリーズ | Automotive, AEC-Q101, BZD27C | |
| 電力 - 最大 | 800 mW |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| パッケージ/ケース | DO-219AB | |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) | |
| 運転温度 | -65°C ~ 175°C | |
| 装着タイプ | Surface Mount | |
| インピーダンス（最大）（ZZT） | 100 Ohms | |
| 電流 - 漏れ@ Vrとリバース | 1 µA @ 56 V | |
| 基本製品番号 | BZD27C75 |
右側の三つのパーツはVishay General Semiconductor - Diodes Division BZD27C75P-HE3-08と同様の仕様
| 製品属性 |  |
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|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | BZD27C75P-HE3-08 | BZD27C7V5P | BZD27C8V2P | BZD27C7V5P-E3-08 |
| メーカー | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Rectron USA | Rectron USA | Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
| 電力 - 最大 | 800 mW | 800 mW | 800 mW | 800 mW |
| 電流 - 漏れ@ Vrとリバース | 1 µA @ 56 V | 50 µA @ 3 V | 10 µA @ 3 V | 50 µA @ 3 V |
| 装着タイプ | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| 公差 | - | ±6% | ±6% | - |
| 電圧 - フォワード（VF）（最大）の場合@ | 1.2 V @ 200 mA | - | - | 1.2 V @ 200 mA |
| 運転温度 | -65°C ~ 175°C | - | - | -65°C ~ 175°C |
| シリーズ | Automotive, AEC-Q101, BZD27C | - | - | BZD27C |
| サプライヤデバイスパッケージ | DO-219AB (SMF) | SOD-123FL | SOD-123FL | DO-219AB (SMF) |
| インピーダンス（最大）（ZZT） | 100 Ohms | 1 Ohms | 1 Ohms | 2 Ohms |
| パッケージ/ケース | DO-219AB | SOD-123F | SOD-123F | DO-219AB |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) | - | - | Tape & Reel (TR) |
| 基本製品番号 | BZD27C75 | - | - | BZD27C7V5 |
| 電圧 - ツェナー（公称値）（Vzは） | 75 V | 7.5 V | 8.2 V | 7.5 V |
BZD27C75P-HE3-08 - Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionのBZD27C75P-HE3-08 PDFデータテーブルとVishay General Semiconductor - Diodes Divisionドキュメントをダウンロード
BZD27C8V2P T/RPANJIT
BZD27C6V8P-GS18Electro-Films (EFI) / VishayBZD27C82P-GS08Electro-Films (EFI) / VishayBZD27C6V8P-GS08(6.8V)Electro-Films (EFI) / VishayBZD27C7V5PRectron USADIODE ZENER 7.5V 800MW SOD-123FBZD27C8V2PRectron USADIODE ZENER 8.2V 800MW SOD-123FBZD27C6V2P-GS08Electro-Films (EFI) / VishayBZD27C7V5P-E3-08Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE ZENER 7.5V 800MW DO219ABBZD27C82P-HE3-08Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE ZENER 82V 800MW DO219ABBZD27C75P-E3-08Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE ZENER 75V 800MW DO219ABBZD27C7V5P-HE3-08Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE ZENER 7.5V 800MW DO219ABBZD27C82P-E3-08Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE ZENER 82V 800MW DO219ABBZD27C6V8P-E3-08Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE ZENER 6.8V 800MW DO219ABBZD27C6V8P-E3Electro-Films (EFI) / VishayBZD27C6V8P-GS08Electro-Films (EFI) / VishayBZD27C75P-M3-08Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE ZENER 75V 800MW DO219ABBZD27C6V8PRectron USADIODE ZENER 6.8V 800MW SOD-123FBZD27C6V2P-M3-08Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE ZENER 6.2V 800MW DO219AB| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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