BYWB29-200-E3/81の技術仕様
Vishay General Semiconductor - Diodes Division - BYWB29-200-E3/81技術仕様、属性、パラメーター、およびVishay General Semiconductor - Diodes Division - BYWB29-200-E3/81仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | Vishay General Semiconductor – Diodes Division | |
| 電圧 - フォワード（VF）（最大）の場合@ | 1.3 V @ 20 A | |
| 電圧 - 逆（VR）（最大） | 200 V | |
| 技術 | Standard | |
| サプライヤデバイスパッケージ | TO-263AB (D²PAK) | |
| 速度 | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | |
| シリーズ | - | |
| 逆回復時間（trrの） | 25 ns |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| パッケージ/ケース | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) | |
| 動作温度 - ジャンクション | -65°C ~ 150°C | |
| 装着タイプ | Surface Mount | |
| 電流 - 漏れ@ Vrとリバース | 10 µA @ 200 V | |
| 電流 - 平均整流（イオ） | 8A | |
| Vrと、F @キャパシタンス | - | |
| 基本製品番号 | BYWB29 |
右側の三つのパーツはVishay General Semiconductor - Diodes Division BYWB29-200-E3/81と同様の仕様
| 製品属性 |  |
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|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | BYWB29-200-E3/81 | BYW98-200 | BYWF29-150-E3/45 | BYWF29-200-E3/45 |
| メーカー | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | STMicroelectronics | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
| 電流 - 漏れ@ Vrとリバース | 10 µA @ 200 V | 10 µA @ 200 V | 10 µA @ 150 V | 10 µA @ 200 V |
| シリーズ | - | - | - | - |
| 電圧 - 逆（VR）（最大） | 200 V | 200 V | 150 V | 200 V |
| サプライヤデバイスパッケージ | TO-263AB (D²PAK) | DO-201AD | ITO-220AC | ITO-220AC |
| 基本製品番号 | BYWB29 | BYW98 | BYWF29 | BYWF29 |
| 技術 | Standard | Standard | Standard | Standard |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) | Cut Tape (CT) | Tube | Tube |
| パッケージ/ケース | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | DO-201AD, Axial | TO-220-2 Full Pack, Isolated Tab | TO-220-2 Full Pack, Isolated Tab |
| 逆回復時間（trrの） | 25 ns | 35 ns | 25 ns | 25 ns |
| 動作温度 - ジャンクション | -65°C ~ 150°C | 150°C (Max) | -65°C ~ 150°C | -65°C ~ 150°C |
| 装着タイプ | Surface Mount | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
| Vrと、F @キャパシタンス | - | - | - | - |
| 電圧 - フォワード（VF）（最大）の場合@ | 1.3 V @ 20 A | 1.2 V @ 9 A | 1.3 V @ 20 A | 1.3 V @ 20 A |
| 電流 - 平均整流（イオ） | 8A | 3A | 8A | 8A |
| 速度 | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
BYWB29-200-E3/81 - Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionのBYWB29-200-E3/81 PDFデータテーブルとVishay General Semiconductor - Diodes Divisionドキュメントをダウンロード
BYW95ALUMILEDSBYW98-200STMicroelectronicsDIODE GEN PURP 200V 3A DO201ADBYW96DLUMILEDSBYW99-200STMicroelectronicsBYW99PI-200STMicroelectronicsBYWF29-150-E3/45Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE GEN PURP 150V 8A ITO220ACBYW99P-150STMicroelectronicsBYWB29-100STMicroelectronics
BYWF29-200Electro-Films (EFI) / VishayBYWB29-200-E3Electro-Films (EFI) / VishayBYW95BLUMILEDSBYWF29-200-E3/45Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE GEN PURP 200V 8A ITO220ACBYW95CLUMILEDS
BYW99W-200STMicroelectronicsDIODE ARRAY GP 200V 15A TO247-3BYW96ELUMILEDSBYW99P-200STMicroelectronicsDIODE ARRAY GP 200V 15A SOT93BYW99P200STMicroelectronicsBYWB29-100-E3/81Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE GEN PURP 100V 8A TO263AB| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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