BAS40-06-HE3-18の技術仕様
Vishay General Semiconductor - Diodes Division - BAS40-06-HE3-18技術仕様、属性、パラメーター、およびVishay General Semiconductor - Diodes Division - BAS40-06-HE3-18仕様に似たパーツ
製品属性 | 属性値 | |
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メーカー | Vishay General Semiconductor – Diodes Division | |
電圧 - フォワード(VF)(最大)の場合@ | 1 V @ 40 mA | |
電圧 - 逆(VR)(最大) | 40 V | |
技術 | Schottky | |
サプライヤデバイスパッケージ | SOT-23-3 | |
速度 | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed | |
シリーズ | Automotive, AEC-Q101 | |
逆回復時間(trrの) | 5 ns |
製品属性 | 属性値 | |
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パッケージ/ケース | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | |
パッケージ | Tape & Reel (TR) | |
動作温度 - ジャンクション | 125°C (Max) | |
装着タイプ | Surface Mount | |
ダイオード構成 | 1 Pair Common Anode | |
電流 - 漏れ@ Vrとリバース | 100 nA @ 30 V | |
電流 - 平均整流(イオ)(ダイオード当たり) | 200mA | |
基本製品番号 | BAS40 |
右側の三つのパーツはVishay General Semiconductor - Diodes Division BAS40-06-HE3-18と同様の仕様
製品属性 | ||||
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部品型番 | BAS40-06-HE3-18 | BAS40-06-E3-08 | BAS40-06LT1G | BAS40-06-7-F |
メーカー | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | onsemi | Diodes Incorporated |
シリーズ | Automotive, AEC-Q101 | - | - | - |
ダイオード構成 | 1 Pair Common Anode | 1 Pair Common Anode | 1 Pair Common Anode | 1 Pair Common Anode |
サプライヤデバイスパッケージ | SOT-23-3 | SOT-23-3 | SOT-23-3 (TO-236) | SOT-23-3 |
動作温度 - ジャンクション | 125°C (Max) | 125°C (Max) | -55°C ~ 150°C | -55°C ~ 125°C |
装着タイプ | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
基本製品番号 | BAS40 | BAS40 | BAS40 | BAS40 |
逆回復時間(trrの) | 5 ns | 5 ns | - | 5 ns |
電圧 - フォワード(VF)(最大)の場合@ | 1 V @ 40 mA | 1 V @ 40 mA | 1 V @ 40 mA | 1 V @ 40 mA |
パッケージ | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
速度 | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
電流 - 平均整流(イオ)(ダイオード当たり) | 200mA | 200mA | 120mA (DC) | 200mA (DC) |
技術 | Schottky | Schottky | Schottky | Schottky |
パッケージ/ケース | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
電圧 - 逆(VR)(最大) | 40 V | 40 V | 40 V | 40 V |
電流 - 漏れ@ Vrとリバース | 100 nA @ 30 V | 100 nA @ 30 V | 1 µA @ 25 V | 200 nA @ 30 V |
BAS40-06-HE3-18 - Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionのBAS40-06-HE3-18 PDFデータテーブルとVishay General Semiconductor - Diodes Divisionドキュメントをダウンロード
一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
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地域 | 国 | ロジスティック時間(日) |
アメリカ | アメリカ | 5 |
ブラジル | 7 | |
ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
イギリス | 4 | |
イタリア | 5 | |
オセアニア | オーストラリア | 6 |
ニュージーランド | 5 | |
アジア | インド | 4 |
日本 | 4 | |
中東 | イスラエル | 6 |
DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
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発送料(kg) | 参照DHL(USD $) |
0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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