BAQ35-GS08の技術仕様
Vishay General Semiconductor - Diodes Division - BAQ35-GS08技術仕様、属性、パラメーター、およびVishay General Semiconductor - Diodes Division - BAQ35-GS08仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | Vishay General Semiconductor – Diodes Division | |
| 電圧 - フォワード（VF）（最大）の場合@ | 1 V @ 100 mA | |
| 電圧 - 逆（VR）（最大） | 140 V | |
| 技術 | Standard | |
| サプライヤデバイスパッケージ | SOD-80 MiniMELF | |
| 速度 | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed | |
| シリーズ | - | |
| パッケージ/ケース | DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80 |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| パッケージ | Tape & Reel (TR) | |
| 動作温度 - ジャンクション | 175°C (Max) | |
| 装着タイプ | Surface Mount | |
| 電流 - 漏れ@ Vrとリバース | 1 nA @ 60 V | |
| 電流 - 平均整流（イオ） | 200mA | |
| Vrと、F @キャパシタンス | 3pF @ 0V, 1MHz | |
| 基本製品番号 | BAQ35 |
右側の三つのパーツはVishay General Semiconductor - Diodes Division BAQ35-GS08と同様の仕様
| 製品属性 |  |
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|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | BAQ35-GS08 | BAQ135-GS08 | BAQ33-GS08 | BAV21W |
| メーカー | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED |
| 電圧 - 逆（VR）（最大） | 140 V | 125 V | 30 V | 250 V |
| 技術 | Standard | Standard | Standard | Standard |
| 電圧 - フォワード（VF）（最大）の場合@ | 1 V @ 100 mA | 1 V @ 100 mA | 1 V @ 100 mA | 1.25 V @ 200 mA |
| 電流 - 漏れ@ Vrとリバース | 1 nA @ 60 V | 1 nA @ 60 V | 1 nA @ 15 V | 100 nA @ 250 V |
| 速度 | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
| 動作温度 - ジャンクション | 175°C (Max) | -65°C ~ 175°C | -65°C ~ 175°C | -55°C ~ 150°C |
| パッケージ/ケース | DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80 | SOD-80 Variant | DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80 | SOD-123 |
| シリーズ | - | - | - | - |
| Vrと、F @キャパシタンス | 3pF @ 0V, 1MHz | 3pF @ 0V, 1MHz | 3pF @ 0V, 1MHz | 5pF @ 1V, 1MHz |
| 基本製品番号 | BAQ35 | BAQ135 | BAQ33 | BAV21 |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
| サプライヤデバイスパッケージ | SOD-80 MiniMELF | SOD-80 QuadroMELF | SOD-80 MiniMELF | SOD-123 |
| 装着タイプ | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| 電流 - 平均整流（イオ） | 200mA | 200mA | 200mA | 200mA |
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BAQ135-GS08Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE GP 125V 200MA SOD80BAQ33-GS08Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE GEN PURP 30V 200MA SOD80BAV21WANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED200MA SURFACE MOUNT SWITCHING DINTE5917NTE Electronics, IncDIODE GEN PURP 200V 20A DO4
TSPB15U45STaiwan Semiconductor CorporationDIODE SCHOTTKY 45V 15A SMPC4.0
SS5P4-M3/86AVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE SCHOTTKY 40V 5A TO277A
1N3162Solid State Inc.DIODE GEN PURP 100V 240A DO9
SBRD8330GonsemiDIODE SCHOTTKY 30V 3A DPAK
BAQ335-TRVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE GP 125V 200MA MICROMELF
RB411VA-50TRRohm SemiconductorDIODE SCHOTTKY 20V 500MA TUMD2
IDH20G65C6XKSA1Infineon TechnologiesDIODE SIL CARB 650V 41A TO220-2
MUR180ERLonsemiDIODE GEN PURP 800V 1A AXIALBAQ334-TRVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE GP 60V 200MA MICROMELFBAQ133-GS08Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE GP 30V 200MA SOD80NTE6050NTE Electronics, IncDIODE GEN PURP 100V 70A DO5
SCS210KE2CRohm SemiconductorDIODE SIL CARB 1.2KV 10A TO247
1N3494RSolid State Inc.DIODE GP REV 300V 25A PRESS FIT
STTH302STMicroelectronicsDIODE GEN PURP 200V 3A DO201AD| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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