53MT80KBの技術仕様
Vishay General Semiconductor - Diodes Division - 53MT80KB技術仕様、属性、パラメーター、およびVishay General Semiconductor - Diodes Division - 53MT80KB仕様に似たパーツ
製品属性 | 属性値 | |
---|---|---|
メーカー | Vishay General Semiconductor – Diodes Division | |
電圧 - ピーク逆(最大) | 800 V | |
技術 | Standard | |
サプライヤデバイスパッケージ | MTK | |
シリーズ | - | |
パッケージ/ケース | MTK |
製品属性 | 属性値 | |
---|---|---|
パッケージ | Bulk | |
運転温度 | -40°C ~ 125°C (TJ) | |
装着タイプ | Chassis Mount | |
ダイオードタイプ | Three Phase | |
電流 - 平均整流(イオ) | 55 A | |
基本製品番号 | 53MT80 |
右側の三つのパーツはVishay General Semiconductor - Diodes Division 53MT80KBと同様の仕様
製品属性 | ||||
---|---|---|---|---|
部品型番 | 53MT80KB | 2W10G-E4/51 | MDB10SV | VBO25-16NO2 |
メーカー | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | onsemi | IXYS |
ダイオードタイプ | Three Phase | Single Phase | Single Phase | Single Phase |
パッケージ/ケース | MTK | 4-Circular, WOG | 4-SMD, Gull Wing | 4-Square, FO-A |
電流 - 平均整流(イオ) | 55 A | 2 A | 1.2 A | 38 A |
基本製品番号 | 53MT80 | 2W10 | MDB10 | VBO25 |
電圧 - ピーク逆(最大) | 800 V | 1 kV | 1 kV | 1.6 kV |
サプライヤデバイスパッケージ | MTK | WOG | 4-MicroDIP/SMD | FO-A |
パッケージ | Bulk | Bulk | Tape & Reel (TR) | Box |
運転温度 | -40°C ~ 125°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -40°C ~ 150°C (TJ) |
技術 | Standard | Standard | Standard | Standard |
装着タイプ | Chassis Mount | Through Hole | Surface Mount | QC Terminal |
シリーズ | - | - | MLVC | - |
53MT80KB - Vishay General Semiconductor - Diodes Divisionの53MT80KB PDFデータテーブルとVishay General Semiconductor - Diodes Divisionドキュメントをダウンロード
一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
---|---|---|
地域 | 国 | ロジスティック時間(日) |
アメリカ | アメリカ | 5 |
ブラジル | 7 | |
ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
イギリス | 4 | |
イタリア | 5 | |
オセアニア | オーストラリア | 6 |
ニュージーランド | 5 | |
アジア | インド | 4 |
日本 | 4 | |
中東 | イスラエル | 6 |
DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
---|---|
発送料(kg) | 参照DHL(USD $) |
0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
より良い価格が欲しいですか? をとに追加して、すぐにお問い合わせを送信すると、すぐにお客様に連絡します。