20ETF10Sの技術仕様
Vishay General Semiconductor - Diodes Division - 20ETF10S技術仕様、属性、パラメーター、およびVishay General Semiconductor - Diodes Division - 20ETF10S仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | Vishay General Semiconductor – Diodes Division | |
| 電圧 - フォワード（VF）（最大）の場合@ | 1.31 V @ 20 A | |
| 電圧 - 逆（VR）（最大） | 1000 V | |
| 技術 | Standard | |
| サプライヤデバイスパッケージ | TO-263AB (D²PAK) | |
| 速度 | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | |
| シリーズ | - | |
| 逆回復時間（trrの） | 400 ns |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| パッケージ/ケース | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | |
| パッケージ | Tube | |
| 動作温度 - ジャンクション | -40°C ~ 150°C | |
| 装着タイプ | Surface Mount | |
| 電流 - 漏れ@ Vrとリバース | 100 µA @ 1000 V | |
| 電流 - 平均整流（イオ） | 20A | |
| Vrと、F @キャパシタンス | - | |
| 基本製品番号 | 20ETF10 |
右側の三つのパーツはVishay General Semiconductor - Diodes Division 20ETF10Sと同様の仕様
| 製品属性 |  |
 |
|
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|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | 20ETF10S | 1N5814 | 20ETS08S | 20ETS12 |
| メーカー | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Solid State Inc. | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
| 技術 | Standard | Standard | Standard | Standard |
| 基本製品番号 | 20ETF10 | - | 20ETS08 | 20ETS12 |
| 速度 | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| 電流 - 平均整流（イオ） | 20A | 20A | 20A | 20A |
| 電圧 - フォワード（VF）（最大）の場合@ | 1.31 V @ 20 A | 900 mV @ 10 A | 1.1 V @ 20 A | 1.1 V @ 20 A |
| 電流 - 漏れ@ Vrとリバース | 100 µA @ 1000 V | 10 µA @ 100 V | 100 µA @ 800 V | 100 µA @ 1200 V |
| 装着タイプ | Surface Mount | Stud Mount | Surface Mount | Through Hole |
| パッケージ | Tube | Box | Tube | Tube |
| パッケージ/ケース | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | DO-203AA, DO-4, Stud | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | TO-220-2 |
| サプライヤデバイスパッケージ | TO-263AB (D²PAK) | DO-4 | TO-263AB (D²PAK) | TO-220AC |
| 動作温度 - ジャンクション | -40°C ~ 150°C | -65°C ~ 175°C | -40°C ~ 150°C | -40°C ~ 150°C |
| 電圧 - 逆（VR）（最大） | 1000 V | 100 V | 800 V | 1200 V |
| Vrと、F @キャパシタンス | - | - | - | - |
| シリーズ | - | - | - | - |
| 逆回復時間（trrの） | 400 ns | 35 ns | - | - |
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20ETS12S MOSElectro-Films (EFI) / Vishay
20ETS08S MOSIR20ETF06PBFIR1N5814Solid State Inc.DIODE GEN PURP 100V 20A DO420ETS08SVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE GEN PURP 800V 20A TO263AB20ETF04SPBFIR20ETS12Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE GEN PURP 1.2KV 20A TO220AC20ETS08Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE GEN PURP 800V 20A TO220AC20ETS12SPBF MOSIR20ETS08FPVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE GP 800V 20A TO220ACFP
20EK1TE Connectivity Corcom FiltersLINE FILTER 250VAC 20A CHASS MNT20ETS12SVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE GEN PURP 1.2KV 20A TO263AB20ETS08STRLPBFIR20ETF10Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE GEN PURP 1KV 20A TO220AC20ETF02Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE GEN PURP 200V 20A TO220AC20ETF06FPVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE GP 600V 20A TO220ACFP20ETS12STRRPBFIR20ETF04PBFElectro-Films (EFI) / Vishay| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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