TP65H300G4LSGの技術仕様
Transphorm - TP65H300G4LSG技術仕様、属性、パラメーター、およびTransphorm - TP65H300G4LSG仕様に似たパーツ
製品属性 | 属性値 | |
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メーカー | Transphorm | |
同上@ VGS(TH)(最大) | 2.6V @ 500µA | |
Vgs(最大) | ±18V | |
技術 | GaNFET (Gallium Nitride) | |
サプライヤデバイスパッケージ | 3-PQFN (8x8) | |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 312mOhm @ 5A, 8V | |
電力消費(最大) | 21W (Tc) | |
パッケージ/ケース | 3-PowerDFN | |
運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
製品属性 | 属性値 | |
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装着タイプ | Surface Mount | |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 760 pF @ 400 V | |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs | 9.6 nC @ 8 V | |
FETタイプ | N-Channel | |
FET特長 | - | |
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) | 8V | |
ソース電圧(VDSS)にドレイン | 650 V | |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 6.5A (Tc) |
右側の三つのパーツはTransphorm TP65H300G4LSGと同様の仕様
製品属性 | ![]() |
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部品型番 | TP65H300G4LSG | TP65H050WS | TP6740SVQ | TP6508QG |
メーカー | Transphorm | Transphorm | TOPRO | TOPRO |
技術 | GaNFET (Gallium Nitride) | GaNFET (Cascode Gallium Nitride FET) | - | - |
同上@ VGS(TH)(最大) | 2.6V @ 500µA | 4.8V @ 700µA | - | - |
サプライヤデバイスパッケージ | 3-PQFN (8x8) | TO-247-3 | - | - |
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) | 8V | 12V | - | - |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs | 9.6 nC @ 8 V | 24 nC @ 10 V | - | - |
パッケージ/ケース | 3-PowerDFN | TO-247-3 | - | - |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 312mOhm @ 5A, 8V | 60mOhm @ 22A, 10V | - | - |
FETタイプ | N-Channel | N-Channel | - | - |
運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 760 pF @ 400 V | 1000 pF @ 400 V | - | - |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 6.5A (Tc) | 34A (Tc) | - | - |
FET特長 | - | - | - | - |
Vgs(最大) | ±18V | ±20V | - | - |
ソース電圧(VDSS)にドレイン | 650 V | 650 V | - | - |
装着タイプ | Surface Mount | Through Hole | - | - |
電力消費(最大) | 21W (Tc) | 119W (Tc) | - | - |
一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
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地域 | 国 | ロジスティック時間(日) |
アメリカ | アメリカ | 5 |
ブラジル | 7 | |
ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
イギリス | 4 | |
イタリア | 5 | |
オセアニア | オーストラリア | 6 |
ニュージーランド | 5 | |
アジア | インド | 4 |
日本 | 4 | |
中東 | イスラエル | 6 |
DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
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発送料(kg) | 参照DHL(USD $) |
0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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