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アフリカ、インド、中東
United Arab Emirates(العربية) Iran(فارسی) Tajikistan(فارسی) India(हिंदी) Madagascar(malaɡasʲ)
南アメリカ /オセアニア
New Zealand(Maori) Brazil(Português) Angola(Português) Mozambique(Português)
北米
United States(English) Canada(English) Haiti(Ayiti) Mexico(español)
まず  ページプロダクトセンターディスクリート半導体製品トランジスタ-fet、mosfet-シングルT2N7002BK,LM
T2N7002BK,LM Image
画像はイメージです、製品の詳細については、仕様を参考してください。

T2N7002BK,LM - Toshiba Semiconductor and Storage

メーカー 部品型番
T2N7002BK,LM
メーカー
TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)
Allelco 部品型番
32D-T2N7002BK,LM
ECADモデル
モデルの説明
MOSFET N-CH 60V 400MA SOT23-3
詳細な説明
パッケージ
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
データシート
T2N7002BK.pdf
RoHS ステータス
在庫あり: 893250

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数量

規格

T2N7002BK,LMの技術仕様
Toshiba Semiconductor and Storage - T2N7002BK,LM技術仕様、属性、パラメーター、およびToshiba Semiconductor and Storage - T2N7002BK,LM仕様に似たパーツ

製品属性 属性値  
メーカー TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)  
同上@ VGS(TH)(最大) 2.1V @ 250µA  
Vgs(最大) ±20V  
技術 MOSFET (Metal Oxide)  
サプライヤデバイスパッケージ SOT-23-3  
シリーズ U-MOSVII-H  
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) 1.5Ohm @ 100mA, 10V  
電力消費(最大) 320mW (Ta)  
パッケージ/ケース TO-236-3, SC-59, SOT-23-3  
パッケージ Tape & Reel (TR)  
製品属性 属性値  
運転温度 150°C (TJ)  
装着タイプ Surface Mount  
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds 40 pF @ 10 V  
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs 0.6 nC @ 4.5 V  
FETタイプ N-Channel  
FET特長 -  
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) 4.5V, 10V  
ソース電圧(VDSS)にドレイン 60 V  
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) 400mA (Ta)  
基本製品番号 T2N7002  

共通規格を持つ部品

右側の三つのパーツはToshiba Semiconductor and Storage T2N7002BK,LMと同様の仕様

製品属性 T2N7002BK,LM IRF7807 STH245N75F3-6 T2N7002AK,LM
部品型番 T2N7002BK,LM IRF7807 STH245N75F3-6 T2N7002AK,LM
メーカー Toshiba Semiconductor and Storage Infineon Technologies STMicroelectronics Toshiba Semiconductor and Storage
基本製品番号 T2N7002 - STH245 T2N7002
Vgs(最大) ±20V ±12V ±20V ±20V
同上@ VGS(TH)(最大) 2.1V @ 250µA 1V @ 250µA 4V @ 250µA 2.1V @ 250µA
パッケージ/ケース TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab) TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
FETタイプ N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
ソース電圧(VDSS)にドレイン 60 V 30 V 75 V 60 V
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) 400mA (Ta) 8.3A (Ta) 180A (Tc) 200mA (Ta)
運転温度 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) 150°C (TJ)
FET特長 - - - -
装着タイプ Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
電力消費(最大) 320mW (Ta) 2.5W (Ta) 300W (Tc) 320mW (Ta)
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) 1.5Ohm @ 100mA, 10V 25mOhm @ 7A, 4.5V 3mOhm @ 90A, 10V 3.9Ohm @ 100mA, 10V
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds 40 pF @ 10 V - 6800 pF @ 25 V 17 pF @ 10 V
技術 MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) 4.5V, 10V 4.5V 10V 4.5V, 10V
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs 0.6 nC @ 4.5 V 17 nC @ 5 V 87 nC @ 10 V 0.35 nC @ 4.5 V
サプライヤデバイスパッケージ SOT-23-3 8-SO H2PAK-6 SOT-23-3
パッケージ Tape & Reel (TR) Tube Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
シリーズ U-MOSVII-H HEXFET® Automotive, AEC-Q101, STripFET™ F3 U-MOSVII-H

T2N7002BK,LMデータテーブルPDF

T2N7002BK,LM - Toshiba Semiconductor and StorageのT2N7002BK,LM PDFデータテーブルとToshiba Semiconductor and Storageドキュメントをダウンロード

データシート
T2N7002BK.pdf

郵送方法

納期

在庫のあるアイテムは24時間以内に出荷できます。一部の部品は、すべてのアイテムが当社の倉庫に到着した日から1〜2日以内に配達用に配置されます。また、Allelcoは日曜日を除く17:00頃に1日1回注文します。商品が出荷されると、推定配送時間は輸送方法と配送先に依存します。下の表は、一部の一般的な国のロジスティック時間です。

配送コスト

  1. 発送には、発送のためにエクスプレスアカウントを使用してください。
  2. 出荷にはアカウントを使用してください。おおよその料金については、以下の表を参照してください。
(異なる時間枠 /国 /パッケージサイズの価格は異なります。)

配信方法

  1. DHL / UPS / FEDEX / TNT / EMS / SFによるグローバル共通出荷がサポートしています。
  2. その他の配送方法は、顧客マネージャーと連絡を取り合ってください。

一般的な国のロジスティック時間参照
地域 ロジスティック時間(日)
アメリカ アメリカ 5
ブラジル 7
ヨーロッパ ドイツ 5
イギリス 4
イタリア 5
オセアニア オーストラリア 6
ニュージーランド 5
アジア インド 4
日本 4
中東 イスラエル 6
DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス
発送料(kg) 参照DHL(USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
注記:
上記の表は参照用です。制御不能な要因にはデータバイアスがある場合があります。
ご質問がある場合はお問い合わせください。

支払いサポート

お支払い方法は、電信送金(T/T、銀行振込)、ウェスタンユニオン、クレジットカード、PayPalのいずれかからお選びいただけます。

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  1. 電話
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資格とメンバーシップ

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T2N7002BK,LM

Toshiba Semiconductor and Storage
32D-T2N7002BK,LM

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