RN1505(TE85L,F)の技術仕様
Toshiba Semiconductor and Storage - RN1505(TE85L,F)技術仕様、属性、パラメーター、およびToshiba Semiconductor and Storage - RN1505(TE85L,F)仕様に似たパーツ
製品属性 | 属性値 | |
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メーカー | TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation) | |
電圧 - コレクタエミッタブレークダウン(最大) | 50V | |
IB、IC @ Vce飽和(最大) | 300mV @ 250µA, 5mA | |
トランジスタ型式 | 2 NPN - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled) | |
サプライヤデバイスパッケージ | SMV | |
シリーズ | - | |
抵抗器ベース(R2) | 47 kOhms | |
抵抗器 - ベース(R1) | 2.2 kOhms | |
電力 - 最大 | 300mW | |
パッケージング | Original-Reel® |
製品属性 | 属性値 | |
---|---|---|
パッケージ/ケース | SC-74A, SOT-753 | |
他の名前 | RN1505(TE85LF)DKR | |
装着タイプ | Surface Mount | |
水分感受性レベル(MSL) | 1 (Unlimited) | |
鉛フリーステータス/ RoHSステータス | Lead free / RoHS Compliant | |
周波数 - トランジション | 250MHz | |
詳細な説明 | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled) 50V 100mA 250MHz 300mW Surface Mount SMV | |
Icを、Vceは@ DC電流ゲイン(hFEの)(最小) | 80 @ 10mA, 5V | |
電流 - コレクタ遮断(最大) | 100nA (ICBO) | |
電流 - コレクタ(Ic)(Max) | 100mA |
属性 | 説明 |
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RoHS ステータス | 鉛フリー/ RoHS準拠 |
湿度感度レベル(MSL) | |
州に到達します | |
ECCN | |
HTSUS |
右側の三つのパーツはToshiba Semiconductor and Storage RN1505(TE85L,F)と同様の仕様
製品属性 | ||||
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部品型番 | RN1505(TE85L,F) | RN1508(TE85L,F) | RN1503(TE85L,F) | RN1503 |
メーカー | Toshiba Semiconductor and Storage | Toshiba Semiconductor and Storage | Toshiba Semiconductor and Storage | TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Stora |
装着タイプ | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | - |
電流 - コレクタ遮断(最大) | 100nA (ICBO) | 100nA (ICBO) | 100nA (ICBO) | - |
サプライヤデバイスパッケージ | SMV | SMV | SMV | - |
パッケージング | Original-Reel® | - | - | - |
Icを、Vceは@ DC電流ゲイン(hFEの)(最小) | 80 @ 10mA, 5V | 80 @ 10mA, 5V | 70 @ 10mA, 5V | - |
他の名前 | RN1505(TE85LF)DKR | - | - | - |
抵抗器 - ベース(R1) | 2.2 kOhms | 22kOhms | 22kOhms | - |
電流 - コレクタ(Ic)(Max) | 100mA | 100mA | 100mA | - |
水分感受性レベル(MSL) | 1 (Unlimited) | - | - | - |
鉛フリーステータス/ RoHSステータス | Lead free / RoHS Compliant | - | - | - |
電圧 - コレクタエミッタブレークダウン(最大) | 50V | 50V | 50V | - |
パッケージ/ケース | SC-74A, SOT-753 | SC-74A, SOT-753 | SC-74A, SOT-753 | - |
抵抗器ベース(R2) | 47 kOhms | 47kOhms | 22kOhms | - |
シリーズ | - | - | - | - |
IB、IC @ Vce飽和(最大) | 300mV @ 250µA, 5mA | 300mV @ 250µA, 5mA | 300mV @ 250µA, 5mA | - |
詳細な説明 | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled) 50V 100mA 250MHz 300mW Surface Mount SMV | - | - | - |
周波数 - トランジション | 250MHz | 250MHz | 250MHz | - |
電力 - 最大 | 300mW | 300mW | 300mW | - |
トランジスタ型式 | 2 NPN - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled) | 2 NPN - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled) | 2 NPN - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled) | - |
RN1505(TE85L,F) - Toshiba Semiconductor and StorageのRN1505(TE85L,F) PDFデータテーブルとToshiba Semiconductor and Storageドキュメントをダウンロード
一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
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地域 | 国 | ロジスティック時間(日) |
アメリカ | アメリカ | 5 |
ブラジル | 7 | |
ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
イギリス | 4 | |
イタリア | 5 | |
オセアニア | オーストラリア | 6 |
ニュージーランド | 5 | |
アジア | インド | 4 |
日本 | 4 | |
中東 | イスラエル | 6 |
DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
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発送料(kg) | 参照DHL(USD $) |
0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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