XP202A0003MR-Gの技術仕様
Torex Semiconductor Ltd - XP202A0003MR-G技術仕様、属性、パラメーター、およびTorex Semiconductor Ltd - XP202A0003MR-G仕様に似たパーツ
製品属性 | 属性値 | |
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メーカー | Torex Semiconductor Ltd. | |
同上@ VGS(TH)(最大) | 2.6V @ 1mA | |
Vgs(最大) | ±20V | |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
サプライヤデバイスパッケージ | SOT-23 | |
シリーズ | - | |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 45mOhm @ 1.5A, 10V | |
電力消費(最大) | 1W | |
パッケージ/ケース | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | |
パッケージ | Tape & Reel (TR) |
製品属性 | 属性値 | |
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運転温度 | 150°C | |
装着タイプ | Surface Mount | |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 435 pF @ 10 V | |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs | 10 nC @ 10 V | |
FETタイプ | P-Channel | |
FET特長 | - | |
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) | 4V, 10V | |
ソース電圧(VDSS)にドレイン | 30 V | |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 5A (Tj) | |
基本製品番号 | XP202A |
右側の三つのパーツはTorex Semiconductor Ltd XP202A0003MR-Gと同様の仕様
製品属性 | ||||
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部品型番 | XP202A0003MR-G | IXFH18N60P | IRFH5302TR2PBF | DMN3029LFG-13 |
メーカー | Torex Semiconductor Ltd | IXYS | Infineon Technologies | Diodes Incorporated |
ソース電圧(VDSS)にドレイン | 30 V | 600 V | 30 V | 30 V |
基本製品番号 | XP202A | IXFH18 | - | DMN3029 |
サプライヤデバイスパッケージ | SOT-23 | TO-247AD (IXFH) | PQFN (5x6) Single Die | POWERDI3333-8 |
電力消費(最大) | 1W | 360W (Tc) | - | 1W (Ta) |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 5A (Tj) | 18A (Tc) | 32A (Ta), 100A (Tc) | 5.3A (Ta) |
FETタイプ | P-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
Vgs(最大) | ±20V | ±30V | - | ±25V |
シリーズ | - | HiPerFET™, Polar | - | - |
装着タイプ | Surface Mount | Through Hole | Surface Mount | Surface Mount |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 45mOhm @ 1.5A, 10V | 400mOhm @ 500mA, 10V | 2.1mOhm @ 50A, 10V | 18.6mOhm @ 10A, 10V |
同上@ VGS(TH)(最大) | 2.6V @ 1mA | 5.5V @ 2.5mA | 2.35V @ 100µA | 1.8V @ 250µA |
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) | 4V, 10V | 10V | - | 4.5V, 10V |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs | 10 nC @ 10 V | 50 nC @ 10 V | 76 nC @ 10 V | 11.3 nC @ 10 V |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 435 pF @ 10 V | 2500 pF @ 25 V | 4400 pF @ 15 V | 580 pF @ 15 V |
FET特長 | - | - | - | - |
パッケージ | Tape & Reel (TR) | Tube | Cut Tape (CT) | Tape & Reel (TR) |
パッケージ/ケース | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | TO-247-3 | 8-PowerVDFN | 8-PowerVDFN |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
運転温度 | 150°C | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
XP202A0003MR-G - Torex Semiconductor LtdのXP202A0003MR-G PDFデータテーブルとTorex Semiconductor Ltdドキュメントをダウンロード
一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
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地域 | 国 | ロジスティック時間(日) |
アメリカ | アメリカ | 5 |
ブラジル | 7 | |
ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
イギリス | 4 | |
イタリア | 5 | |
オセアニア | オーストラリア | 6 |
ニュージーランド | 5 | |
アジア | インド | 4 |
日本 | 4 | |
中東 | イスラエル | 6 |
DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
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発送料(kg) | 参照DHL(USD $) |
0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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