US1J M2Gの技術仕様
TSC (Taiwan Semiconductor) - US1J M2G技術仕様、属性、パラメーター、およびTSC (Taiwan Semiconductor) - US1J M2G仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | Taiwan Semiconductor | |
| 電圧 - フォワード（VF）（最大）の場合@ | 1.7V @ 1A | |
| 電圧 - 逆（VR）（最大） | 600V | |
| サプライヤデバイスパッケージ | DO-214AC (SMA) | |
| 速度 | Fast Recovery = 200mA (Io) | |
| シリーズ | - | |
| 逆回復時間（trrの） | 75ns | |
| パッケージング | Tape & Reel (TR) | |
| パッケージ/ケース | DO-214AC, SMA | |
| 他の名前 | US1J M2G-ND US1JM2G |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| 動作温度 - ジャンクション | -55°C ~ 150°C | |
| 装着タイプ | Surface Mount | |
| 水分感受性レベル（MSL） | 1 (Unlimited) | |
| メーカーの標準リードタイム | 8 Weeks | |
| 鉛フリーステータス/ RoHSステータス | Lead free / RoHS Compliant | |
| ダイオードタイプ | Standard | |
| 詳細な説明 | Diode Standard 600V 1A Surface Mount DO-214AC (SMA) | |
| 電流 - 漏れ@ Vrとリバース | 5µA @ 600V | |
| 電流 - 平均整流（イオ） | 1A | |
| Vrと、F @キャパシタンス | 10pF @ 4V, 1MHz |
右側の三つのパーツはTSC (Taiwan Semiconductor) US1J M2Gと同様の仕様
| 製品属性 |  |
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|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | US1J M2G | US1J-13 | US1J-E3/61T | US1J-E3/5AT |
| メーカー | TSC (Taiwan Semiconductor) | Diodes Incorporated | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
| パッケージ/ケース | DO-214AC, SMA | DO-214AC, SMA | DO-214AC, SMA | DO-214AC, SMA |
| 装着タイプ | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| パッケージング | Tape & Reel (TR) | - | - | - |
| 逆回復時間（trrの） | 75ns | 75 ns | 75 ns | 75 ns |
| サプライヤデバイスパッケージ | DO-214AC (SMA) | SMA | DO-214AC (SMA) | DO-214AC (SMA) |
| 電圧 - 逆（VR）（最大） | 600V | 600 V | 600 V | 600 V |
| 速度 | Fast Recovery = 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| 電流 - 平均整流（イオ） | 1A | 1A | 1A | 1A |
| メーカーの標準リードタイム | 8 Weeks | - | - | - |
| 水分感受性レベル（MSL） | 1 (Unlimited) | - | - | - |
| 他の名前 | US1J M2G-ND US1JM2G |
- | - | - |
| Vrと、F @キャパシタンス | 10pF @ 4V, 1MHz | 10pF @ 4V, 1MHz | 10pF @ 4V, 1MHz | 10pF @ 4V, 1MHz |
| 電流 - 漏れ@ Vrとリバース | 5µA @ 600V | 5 µA @ 600 V | 10 µA @ 600 V | 10 µA @ 600 V |
| 電圧 - フォワード（VF）（最大）の場合@ | 1.7V @ 1A | 1.7 V @ 1 A | 1.7 V @ 1 A | 1.7 V @ 1 A |
| 詳細な説明 | Diode Standard 600V 1A Surface Mount DO-214AC (SMA) | - | - | - |
| 動作温度 - ジャンクション | -55°C ~ 150°C | -65°C ~ 150°C | -55°C ~ 150°C | -55°C ~ 150°C |
| ダイオードタイプ | Standard | - | - | - |
| シリーズ | - | - | - | - |
| 鉛フリーステータス/ RoHSステータス | Lead free / RoHS Compliant | - | - | - |
US1J M2G - TSC (Taiwan Semiconductor)のUS1J M2G PDFデータテーブルとTSC (Taiwan Semiconductor)ドキュメントをダウンロード
US1J-13Diodes IncorporatedDIODE GEN PURP 600V 1A SMA
US1J-5ATElectro-Films (EFI) / Vishay
US1J-13-F-73Diodes Incorporated
US1J T/RPANJITUS1J-E3Electro-Films (EFI) / VishayUS1J-E3/61TVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE GEN PURP 600V 1A DO214ACUS1GHE3/61Electro-Films (EFI) / VishayUS1J 2K/RUS1J-E3/5ATVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE GEN PURP 600V 1A DO214ACUS1GWG_R1PANJITUS1GHE3_A/HVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE GEN PURP 400V 1A DO214ACUS1GHE3_A/IVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE GEN PURP 400V 1A DO214ACUS1GHE3-A/HVIHSAYUS1GHE3/5ATVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE GEN PURP 400V 1A DO214ACUS1G_R1_00101PANJITUS1GWF-7Diodes IncorporatedDIODE GEN PURP 400V 1A SOD123F
US1G_R1_00001Panjit International Inc.DIODE GEN PURP 400V 1A SMAUS1J-13-FDiodes IncorporatedDIODE GEN PURP 600V 1A SMA| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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