TSN520M60の技術仕様
Taiwan Semiconductor Corporation - TSN520M60技術仕様、属性、パラメーター、およびTaiwan Semiconductor Corporation - TSN520M60仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | Taiwan Semiconductor | |
| 電圧 - フォワード（VF）（最大）の場合@ | 580 mV @ 20 A | |
| 電圧 - 逆（VR）（最大） | 60 V | |
| 技術 | Schottky | |
| サプライヤデバイスパッケージ | 8-PDFN (5x6) | |
| 速度 | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | |
| シリーズ | - | |
| パッケージ/ケース | 8-PowerLDFN |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| パッケージ | Tape & Reel (TR) | |
| 動作温度 - ジャンクション | -55°C ~ 150°C | |
| 装着タイプ | Surface Mount | |
| 電流 - 漏れ@ Vrとリバース | 500 µA @ 60 V | |
| 電流 - 平均整流（イオ） | 20A | |
| Vrと、F @キャパシタンス | - | |
| 基本製品番号 | TSN520 |
右側の三つのパーツはTaiwan Semiconductor Corporation TSN520M60と同様の仕様
| 製品属性 |  |
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|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | TSN520M60 | BAV21W-TP | 1N1201 | SBAT54T1G |
| メーカー | Taiwan Semiconductor Corporation | Micro Commercial Co | Microchip Technology | onsemi |
| 電流 - 平均整流（イオ） | 20A | 200mA | 12A | 200mA |
| 電流 - 漏れ@ Vrとリバース | 500 µA @ 60 V | 100 nA @ 200 V | 10 µA @ 150 V | 2 µA @ 25 V |
| Vrと、F @キャパシタンス | - | 1.5pF @ 0V, 1MHz | - | 10pF @ 1V, 1MHz |
| 電圧 - フォワード（VF）（最大）の場合@ | 580 mV @ 20 A | 1.25 V @ 200 mA | 1.2 V @ 30 A | 800 mV @ 100 mA |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Bulk | Tape & Reel (TR) |
| 装着タイプ | Surface Mount | Surface Mount | Stud Mount | Surface Mount |
| 動作温度 - ジャンクション | -55°C ~ 150°C | -55°C ~ 150°C | -65°C ~ 200°C | -55°C ~ 125°C |
| 電圧 - 逆（VR）（最大） | 60 V | 200 V | 150 V | 30 V |
| シリーズ | - | - | - | Automotive, AEC-Q101 |
| 技術 | Schottky | Standard | Standard | Schottky |
| パッケージ/ケース | 8-PowerLDFN | SOD-123 | DO-203AA, DO-4, Stud | SOD-123 |
| 速度 | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
| 基本製品番号 | TSN520 | BAV21 | 1N1201 | SBAT54 |
| サプライヤデバイスパッケージ | 8-PDFN (5x6) | SOD-123 | DO-4 (DO-203AA) | SOD-123 |
TSN520M60 - Taiwan Semiconductor CorporationのTSN520M60 PDFデータテーブルとTaiwan Semiconductor Corporationドキュメントをダウンロード
BAV21W-TPMicro Commercial CoDIODE GEN PURP 200V 200MA SOD123TSN10A80NIEC1N1201Microchip TechnologySTANDARD RECTIFIERSBAT54T1GonsemiDIODE SCHOTTKY 30V 200MA SOD123
1N3296ARPowerex Inc.DIODE GP REV 1.2KV 100A DO205AA
1N4148WSF-7Diodes IncorporatedDIODE GP 100V 250MA SOD323F
SS29FAonsemiDIODE SCHOTTKY 90V 2A SOD123FATSN027EAOS
CSA2G-E3/IVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE GEN PURP 400V 1.6A DO214AC
F1857D600Sensata-CrydomDIODE GEN PURP 600V 55A MODULE
STTH3R04STMicroelectronicsDIODE GEN PURP 400V 3A DO201ADSMLJ60S05-TPMicro Commercial CoDIODE GEN PURP 50V 6A SMC
TSN16B-1002JSBI Technologies / TT Electronics
TSN520M60 S3GTSC (Taiwan Semiconductor)DIODE SCHOTTKY 60V 20A 8PDFN
FS1J-LTPMicro Commercial CoDIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC
DSAI17-18AIXYSDIODE AVAL 1.8KV 25A DO203AADH60-16AIXYSDIODE GEN PURP 1.6KV 60A TO247AD
IDDD16G65C6XTMA1Infineon TechnologiesDIODE SIL CARB 650V 43A HDSOP-10| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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