TSM1NB60CW RPGの技術仕様
Taiwan Semiconductor Corporation - TSM1NB60CW RPG技術仕様、属性、パラメーター、およびTaiwan Semiconductor Corporation - TSM1NB60CW RPG仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | Taiwan Semiconductor | |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 4.5V @ 250µA | |
| Vgs（最大） | ±30V | |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| サプライヤデバイスパッケージ | SOT-223 | |
| シリーズ | - | |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 10Ohm @ 500mA, 10V | |
| 電力消費（最大） | 39W (Tc) | |
| パッケージ/ケース | TO-261-4, TO-261AA | |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| 装着タイプ | Surface Mount | |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 138 pF @ 25 V | |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 6.1 nC @ 10 V | |
| FETタイプ | N-Channel | |
| FET特長 | - | |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V | |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 600 V | |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 1A (Tc) | |
| 基本製品番号 | TSM1NB60 |
右側の三つのパーツはTaiwan Semiconductor Corporation TSM1NB60CW RPGと同様の仕様
| 製品属性 |  |
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|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | TSM1NB60CW RPG | TSM210N02CX | TSM1N80CW RPG | TSM210N02CX RFG |
| メーカー | Taiwan Semiconductor Corporation | Taiwan Semiconductor Corporation | Taiwan Semiconductor Corporation | Taiwan Semiconductor Corporation |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 600 V | 20 V | 800 V | 20 V |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | 150°C (TJ) |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 6.1 nC @ 10 V | 5.8 nC @ 4.5 V | 6 nC @ 10 V | 4 nC @ 4.5 V |
| 装着タイプ | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 4.5V @ 250µA | 0.8V @ 250µA | 5V @ 250µA | 800mV @ 250µA |
| FET特長 | - | - | - | - |
| Vgs（最大） | ±30V | ±10V | ±30V | ±10V |
| サプライヤデバイスパッケージ | SOT-223 | SOT-23 | SOT-223 | SOT-23 |
| パッケージ/ケース | TO-261-4, TO-261AA | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | TO-261-4, TO-261AA | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 1A (Tc) | 6.7A (Tc) | 300mA (Ta) | 6.7A (Tc) |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 138 pF @ 25 V | 600 pF @ 10 V | 200 pF @ 25 V | 600 pF @ 10 V |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 10Ohm @ 500mA, 10V | 21mOhm @ 4A, 4.5V | 21.6Ohm @ 150mA, 10V | 25mOhm @ 4A, 4.5V |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V | 1.8V, 4.5V | 10V | 1.8V, 4.5V |
| FETタイプ | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
| 電力消費（最大） | 39W (Tc) | 1.56W (Tc) | 2.1W (Tc) | 1.56W (Tc) |
| 基本製品番号 | TSM1NB60 | TSM210 | TSM1N80 | TSM210 |
| シリーズ | - | - | - | - |
TSM1NB60CW RPG - Taiwan Semiconductor CorporationのTSM1NB60CW RPG PDFデータテーブルとTaiwan Semiconductor Corporationドキュメントをダウンロード
TSM1N45DCSTaiwan SemiconductorTSM200N03DPQ33Taiwan Semiconductor Corporation30V, 20A, DUAL N-CHANNEL POWER MTSM1N80CWRPTaiwan SemiconductorTSM210N02CXTaiwan Semiconductor Corporation20V, 6.7A, SINGLE N-CHANNEL POWETSM1N60LCH C5Taiwan SemiconductorTSM1N80CW RPGTaiwan Semiconductor CorporationMOSFET N-CH 800V 300MA SOT223
TSM1V335TSSRDAEWOOTSM1NB60CWRPGTaiwan SemiconductorTSM1V105TSSRTSM1N60SCTTaiwan SemiconductorTSM210N02CX RFGTaiwan Semiconductor CorporationMOSFET N-CHANNEL 20V 6.7A SOT23TSM1NB60CPROGTaiwan SemiconductorTSM1V475CSSRTSM1N60LCPTSTSM1N60CHTaiwan SemiconductorTSM1NB60CWTaiwan Semiconductor Corporation600V, 1A, SINGLE N-CHANNEL POWERTSM200N03DP MOSTaiwan SemiconductorTSM1N45CW RPGTaiwan Semiconductor CorporationMOSFET N-CH 450V 500MA SOT223| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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