RS1BL RVGの技術仕様
TSC (Taiwan Semiconductor) - RS1BL RVG技術仕様、属性、パラメーター、およびTSC (Taiwan Semiconductor) - RS1BL RVG仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | Taiwan Semiconductor | |
| 電圧 - フォワード（VF）（最大）の場合@ | 1.3V @ 800mA | |
| 電圧 - 逆（VR）（最大） | 100V | |
| サプライヤデバイスパッケージ | Sub SMA | |
| 速度 | Fast Recovery = 200mA (Io) | |
| シリーズ | - | |
| 逆回復時間（trrの） | 150ns | |
| パッケージング | Tape & Reel (TR) | |
| パッケージ/ケース | DO-219AB | |
| 他の名前 | RS1BL RVGTR RS1BL RVGTR-ND RS1BLRVGTR |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| 動作温度 - ジャンクション | -55°C ~ 150°C | |
| 装着タイプ | Surface Mount | |
| 水分感受性レベル（MSL） | 1 (Unlimited) | |
| メーカーの標準リードタイム | 25 Weeks | |
| 鉛フリーステータス/ RoHSステータス | Lead free / RoHS Compliant | |
| ダイオードタイプ | Standard | |
| 詳細な説明 | Diode Standard 100V 800mA Surface Mount Sub SMA | |
| 電流 - 漏れ@ Vrとリバース | 5µA @ 100V | |
| 電流 - 平均整流（イオ） | 800mA | |
| Vrと、F @キャパシタンス | 10pF @ 4V, 1MHz |
| 属性 | 説明 |
|---|---|
| RoHS ステータス | 鉛フリー/ RoHS準拠 |
| 湿度感度レベル（MSL） | |
| 州に到達します | |
| ECCN | |
| HTSUS |
右側の三つのパーツはTSC (Taiwan Semiconductor) RS1BL RVGと同様の仕様
| 製品属性 |  |
 |
 |
|
|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | RS1BL RVG | RS1D-E3/5AT | RS1B-13-F | RS1A-E3/61T |
| メーカー | TSC (Taiwan Semiconductor) | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Diodes Incorporated | Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
| 電流 - 漏れ@ Vrとリバース | 5µA @ 100V | 5 µA @ 200 V | 5 µA @ 100 V | 5 µA @ 50 V |
| 電圧 - 逆（VR）（最大） | 100V | 200 V | 100 V | 50 V |
| ダイオードタイプ | Standard | - | - | - |
| Vrと、F @キャパシタンス | 10pF @ 4V, 1MHz | 10pF @ 4V, 1MHz | 15pF @ 4V, 1MHz | 10pF @ 4V, 1MHz |
| サプライヤデバイスパッケージ | Sub SMA | DO-214AC (SMA) | SMA | DO-214AC (SMA) |
| 電圧 - フォワード（VF）（最大）の場合@ | 1.3V @ 800mA | 1.3 V @ 1 A | 1.3 V @ 1 A | 1.3 V @ 1 A |
| 鉛フリーステータス/ RoHSステータス | Lead free / RoHS Compliant | - | - | - |
| 他の名前 | RS1BL RVGTR RS1BL RVGTR-ND RS1BLRVGTR |
- | - | - |
| 水分感受性レベル（MSL） | 1 (Unlimited) | - | - | - |
| 逆回復時間（trrの） | 150ns | 150 ns | 150 ns | 150 ns |
| 動作温度 - ジャンクション | -55°C ~ 150°C | -55°C ~ 150°C | -65°C ~ 150°C | -55°C ~ 150°C |
| 速度 | Fast Recovery = 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| メーカーの標準リードタイム | 25 Weeks | - | - | - |
| 装着タイプ | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| 電流 - 平均整流（イオ） | 800mA | 1A | 1A | 1A |
| 詳細な説明 | Diode Standard 100V 800mA Surface Mount Sub SMA | - | - | - |
| シリーズ | - | - | - | - |
| パッケージング | Tape & Reel (TR) | - | - | - |
| パッケージ/ケース | DO-219AB | DO-214AC, SMA | DO-214AC, SMA | DO-214AC, SMA |
RS1BL RVG - TSC (Taiwan Semiconductor)のRS1BL RVG PDFデータテーブルとTSC (Taiwan Semiconductor)ドキュメントをダウンロード
RS1A48D25Carlo Gavazzi Inc.SSR RELAY SPST-NO 25A 42-530V
RS1D R2Taiwan SemiconductorRS1D-E3/5ATVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE GEN PURP 200V 1A DO214AC
RS1B-E3Electro-Films (EFI) / VishayRS1B-13-FDiodes IncorporatedDIODE GEN PURP 100V 1A SMARS1A-E3/61TVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE GEN PURP 50V 1A DO214ACRS1D-M3/61TVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE GEN PURP 200V 1A DO214AC
RS16W20180-SRS1D-13-FDiodes IncorporatedDIODE GEN PURP 200V 1A SMARS1DB-13Diodes IncorporatedDIODE GEN PURP 200V 1A SMB
RS1B-FDiodes IncorporatedRS1A-13-FDiodes IncorporatedDIODE GEN PURP 50V 1A SMARS1DB-13-FDiodes IncorporatedDIODE GEN PURP 200V 1A SMBRS1BB-13-FDiodes IncorporatedDIODE GEN PURP 100V 1A SMBRS1B-E3/61TVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE GEN PURP 100V 1A DO214ACRS1D-E3/61TVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE GEN PURP 200V 1A DO214ACRS1D/11TElectro-Films (EFI) / VishayRS1D R2GTaiwan Semiconductor| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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