MBR20H200CTの技術仕様
Taiwan Semiconductor Corporation - MBR20H200CT技術仕様、属性、パラメーター、およびTaiwan Semiconductor Corporation - MBR20H200CT仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | Taiwan Semiconductor | |
| 電圧 - フォワード（VF）（最大）の場合@ | 970 mV @ 20 A | |
| 電圧 - 逆（VR）（最大） | 200 V | |
| 技術 | Schottky | |
| サプライヤデバイスパッケージ | TO-220AB | |
| 速度 | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | |
| シリーズ | - | |
| パッケージ/ケース | TO-220-3 |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| パッケージ | Tube | |
| 動作温度 - ジャンクション | -55°C ~ 175°C | |
| 装着タイプ | Through Hole | |
| ダイオード構成 | 1 Pair Common Cathode | |
| 電流 - 漏れ@ Vrとリバース | 5 µA @ 200 V | |
| 電流 - 平均整流（イオ）（ダイオード当たり） | 20A | |
| 基本製品番号 | MBR20 |
| 属性 | 説明 |
|---|---|
| RoHS ステータス | |
| 湿度感度レベル（MSL） | 1 (Unlimited) |
| 州に到達します | REACH Unaffected |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS |
右側の三つのパーツはTaiwan Semiconductor Corporation MBR20H200CTと同様の仕様
| 製品属性 |  |
 |
 |
|
|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | MBR20H200CT | MBR20L60CTG | MBR20H45CT-E3/45 | MBR20H100CTG |
| メーカー | Taiwan Semiconductor Corporation | onsemi | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | onsemi |
| シリーズ | - | SWITCHMODE™ | - | SWITCHMODE™ |
| サプライヤデバイスパッケージ | TO-220AB | TO-220 | TO-220-3 | TO-220 |
| 基本製品番号 | MBR20 | MBR20L60 | MBR20 | MBR20H100 |
| ダイオード構成 | 1 Pair Common Cathode | 1 Pair Common Cathode | 1 Pair Common Cathode | 1 Pair Common Cathode |
| 速度 | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| 電圧 - フォワード（VF）（最大）の場合@ | 970 mV @ 20 A | 570 mV @ 10 A | 630 mV @ 10 A | 770 mV @ 10 A |
| 装着タイプ | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
| 動作温度 - ジャンクション | -55°C ~ 175°C | -55°C ~ 150°C | -65°C ~ 175°C | -65°C ~ 175°C |
| 技術 | Schottky | Schottky | Schottky | Schottky |
| 電流 - 漏れ@ Vrとリバース | 5 µA @ 200 V | 380 µA @ 60 V | 100 µA @ 45 V | 4.5 µA @ 100 V |
| パッケージ | Tube | Tube | Tube | Tube |
| 電流 - 平均整流（イオ）（ダイオード当たり） | 20A | 10A | 10A | 10A |
| パッケージ/ケース | TO-220-3 | TO-220-3 | TO-220-3 | TO-220-3 |
| 電圧 - 逆（VR）（最大） | 200 V | 60 V | 45 V | 100 V |
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MBR20L60CTGonsemiDIODE ARRAY SCHOTTKY 60V TO220AB
MBR20H60CTElectro-Films (EFI) / VishayMBR20H45CT-E3/45Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE ARRAY SCHOTTKY 45V TO220ABMBR20H100CTGonsemiDIODE ARRAY SCHOTTKY 100V TO220MBR20H100CTHE3Electro-Films (EFI) / Vishay
MBR20H45CTAMI Semiconductor/onsemi
MBR20H150YDPANJITMBR20H200DCPANJITMBR20H100CTG-E3Electro-Films (EFI) / VishayMBR20H150CTGonsemiDIODE ARRAY SCHOTTKY 150V TO220MBR20H60CT-E3/45Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE ARRAY SCHOTTKY 60V TO220ABMBR20H100CTG-E3/45Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE ARRAY SCHOTTKY 100V TO220MBR20L45CTGonsemiDIODE ARRAY SCHOTTKY 45V TO220ABMBR20L100CTTaiwan Semiconductor CorporationDIODE SCHOTTKY 100V 20A TO220ABMBR20H150GAMI Semiconductor/onsemi
MBR20H200CT-E3/45Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE ARRAY SCHOTTKY 200V TO220MBR20H150CTTaiwan Semiconductor CorporationDIODE SCHOTTKY 150V 20A TO220ABMBR20H100GAMI Semiconductor/onsemi| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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