BZV55C3V3の技術仕様
Taiwan Semiconductor Corporation - BZV55C3V3技術仕様、属性、パラメーター、およびTaiwan Semiconductor Corporation - BZV55C3V3仕様に似たパーツ
製品属性 | 属性値 | |
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メーカー | Taiwan Semiconductor | |
電圧 - ツェナー(公称値)(Vzは) | 3.3 V | |
電圧 - フォワード(VF)(最大)の場合@ | 1 V @ 10 mA | |
公差 | ±5% | |
サプライヤデバイスパッケージ | Mini MELF | |
シリーズ | - | |
電力 - 最大 | 500 mW |
製品属性 | 属性値 | |
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パッケージ/ケース | DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80 | |
パッケージ | Tape & Reel (TR) | |
運転温度 | -65°C ~ 175°C (TJ) | |
装着タイプ | Surface Mount | |
インピーダンス(最大)(ZZT) | 85 Ohms | |
電流 - 漏れ@ Vrとリバース | 2 µA @ 1 V | |
基本製品番号 | BZV55C |
右側の三つのパーツはTaiwan Semiconductor Corporation BZV55C3V3と同様の仕様
製品属性 | ![]() |
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部品型番 | BZV55C3V3 | BZV55C39 | BZV55C2V7 | BZV55C3V9 |
メーカー | Taiwan Semiconductor Corporation | Microchip Technology | Microchip Technology | Microchip Technology |
運転温度 | -65°C ~ 175°C (TJ) | -65°C ~ 175°C | -65°C ~ 175°C | -65°C ~ 175°C |
公差 | ±5% | ±5% | ±7% | ±5% |
基本製品番号 | BZV55C | BZV55C39 | BZV55C2V7 | BZV55C3V9 |
パッケージ/ケース | DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80 | DO-213AA (Glass) | DO-213AA (Glass) | DO-213AA (Glass) |
電力 - 最大 | 500 mW | - | - | - |
インピーダンス(最大)(ZZT) | 85 Ohms | - | - | - |
電流 - 漏れ@ Vrとリバース | 2 µA @ 1 V | 50 nA @ 27.3 V | 20 µA @ 1 V | 3 µA @ 1 V |
電圧 - フォワード(VF)(最大)の場合@ | 1 V @ 10 mA | 1.1 V @ 200 mA | 1.1 V @ 200 mA | 1.1 V @ 200 mA |
パッケージ | Tape & Reel (TR) | Bulk | Bulk | Bulk |
装着タイプ | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
シリーズ | - | - | - | - |
サプライヤデバイスパッケージ | Mini MELF | DO-213AA | DO-213AA | DO-213AA |
電圧 - ツェナー(公称値)(Vzは) | 3.3 V | 39 V | 2.7 V | 3.9 V |
BZV55C3V3 - Taiwan Semiconductor CorporationのBZV55C3V3 PDFデータテーブルとTaiwan Semiconductor Corporationドキュメントをダウンロード
一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
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地域 | 国 | ロジスティック時間(日) |
アメリカ | アメリカ | 5 |
ブラジル | 7 | |
ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
イギリス | 4 | |
イタリア | 5 | |
オセアニア | オーストラリア | 6 |
ニュージーランド | 5 | |
アジア | インド | 4 |
日本 | 4 | |
中東 | イスラエル | 6 |
DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
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発送料(kg) | 参照DHL(USD $) |
0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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