BZT55C6V8の技術仕様
Taiwan Semiconductor Corporation - BZT55C6V8技術仕様、属性、パラメーター、およびTaiwan Semiconductor Corporation - BZT55C6V8仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | Taiwan Semiconductor | |
| 電圧 - ツェナー（公称値）（Vzは） | 6.8 V | |
| 電圧 - フォワード（VF）（最大）の場合@ | 1 V @ 10 mA | |
| 公差 | ±5% | |
| サプライヤデバイスパッケージ | QMMELF | |
| シリーズ | - | |
| 電力 - 最大 | 500 mW |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| パッケージ/ケース | SOD-80 Variant | |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) | |
| 運転温度 | -65°C ~ 175°C (TJ) | |
| 装着タイプ | Surface Mount | |
| インピーダンス（最大）（ZZT） | 8 Ohms | |
| 電流 - 漏れ@ Vrとリバース | 100 nA @ 3 V |
| 属性 | 説明 |
|---|---|
| RoHS ステータス | |
| 湿度感度レベル（MSL） | |
| 州に到達します | REACH Unaffected |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS |
右側の三つのパーツはTaiwan Semiconductor Corporation BZT55C6V8と同様の仕様
| 製品属性 |  |
 |
 |
|
|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | BZT55C6V8 | BZT55C8V2-GS18 | BZT585B13T-7 | BZT55C5V6-GS08 |
| メーカー | Taiwan Semiconductor Corporation | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Diodes Incorporated | Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
| シリーズ | - | Automotive, AEC-Q101, BZT55 | Automotive, AEC-Q101 | Automotive, AEC-Q101, BZT55 |
| インピーダンス（最大）（ZZT） | 8 Ohms | 7 Ohms | 10 Ohms | 40 Ohms |
| 運転温度 | -65°C ~ 175°C (TJ) | -65°C ~ 175°C | -65°C ~ 150°C | 175°C |
| 公差 | ±5% | ±5% | ±2% | - |
| 電圧 - ツェナー（公称値）（Vzは） | 6.8 V | 8.2 V | 13 V | 5.6 V |
| 電力 - 最大 | 500 mW | 500 mW | 350 mW | 500 mW |
| 電流 - 漏れ@ Vrとリバース | 100 nA @ 3 V | 100 nA @ 6.2 V | 100 nA @ 8 V | 100 nA @ 1 V |
| パッケージ/ケース | SOD-80 Variant | SOD-80 Variant | SC-79, SOD-523 | SOD-80 Variant |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
| 電圧 - フォワード（VF）（最大）の場合@ | 1 V @ 10 mA | 1.5 V @ 200 mA | 1.1 V @ 100 mA | 1.5 V @ 200 mA |
| サプライヤデバイスパッケージ | QMMELF | SOD-80 QuadroMELF | SOD-523 | SOD-80 QuadroMELF |
| 装着タイプ | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
BZT55C6V8 - Taiwan Semiconductor CorporationのBZT55C6V8 PDFデータテーブルとTaiwan Semiconductor Corporationドキュメントをダウンロード
BZT55C8V2-GS18Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE ZENER 8.2V 500MW SOD80
BZT55C7V5-GS08VishayBZT585B13T-7Diodes IncorporatedDIODE ZENER 13V 350MW SOD523BZT55C5V6-GS08Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE ZENER 5.6V 500MW SOD80BZT55C51-GS08/LL51VElectro-Films (EFI) / VishayBZT585B13TQ-7Diodes IncorporatedDIODE ZENER 13V 350MW SOD523BZT55C5V6-GS18Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE ZENER 5.6V 500MW SOD80BZT55C8V2-GS08Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE ZENER 8.2V 500MW SOD80BZT585B12TQ-7Diodes IncorporatedDIODE ZENER 12V 350MW SOD523BZT55C4V7-GS18Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE ZENER 4.7V 500MW SOD80BZT585B11T-7Diodes IncorporatedDIODE ZENER 11V 350MW SOD523BZT55C68-GS08Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE ZENER 68V 500MW SOD80BZT55C6V8-GS08Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE ZENER 6.8V 500MW SOD80
BZT55C5V6Taiwan Semiconductor CorporationQMMELF, 500MW, 5%, SMALL SIGNALBZT55C68-GS08 68VElectro-Films (EFI) / VishayBZT585B10T-7Diodes IncorporatedDIODE ZENER 10V 350MW SOD523BZT55C51-GS08Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE ZENER 51V 500MW SOD80BZT55C6V2-GS08Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE ZENER 6.2V 500MW SOD80| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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