2N6339の技術仕様
Solid State Inc. - 2N6339技術仕様、属性、パラメーター、およびSolid State Inc. - 2N6339仕様に似たパーツ
製品属性 | 属性値 | |
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メーカー | Solid State Inc. | |
電圧 - コレクタエミッタブレークダウン(最大) | 120 V | |
IB、IC @ Vce飽和(最大) | 1.8V @ 2.5A, 25A | |
トランジスタ型式 | NPN | |
サプライヤデバイスパッケージ | TO-3 | |
シリーズ | - | |
電力 - 最大 | 200 W | |
パッケージ/ケース | TO-204AA, TO-3 |
製品属性 | 属性値 | |
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パッケージ | Bulk | |
運転温度 | -65°C ~ 200°C (TJ) | |
装着タイプ | Through Hole | |
周波数 - トランジション | 40MHz | |
Icを、Vceは@ DC電流ゲイン(hFEの)(最小) | 50 @ 500mA, 2V | |
電流 - コレクタ遮断(最大) | 50µA | |
電流 - コレクタ(Ic)(Max) | 25 A |
右側の三つのパーツはSolid State Inc. 2N6339と同様の仕様
製品属性 | ![]() |
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部品型番 | 2N6339 | 2N6299 | 2N6298 | 2N6338 |
メーカー | Solid State Inc. | Microchip Technology | Microchip Technology | NTE Electronics, Inc |
パッケージ/ケース | TO-204AA, TO-3 | TO-213AA, TO-66-2 | TO-213AA, TO-66-2 | TO-204AA, TO-3 |
IB、IC @ Vce飽和(最大) | 1.8V @ 2.5A, 25A | 2V @ 80mA, 8A | 2V @ 80mA, 8A | 1.8V @ 2.5A, 25A |
電力 - 最大 | 200 W | 64 W | 64 W | 200 W |
装着タイプ | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
運転温度 | -65°C ~ 200°C (TJ) | -65°C ~ 175°C (TJ) | -65°C ~ 175°C (TJ) | -65°C ~ 200°C (TJ) |
Icを、Vceは@ DC電流ゲイン(hFEの)(最小) | 50 @ 500mA, 2V | 750 @ 4A, 3V | 750 @ 4A, 3V | 30 @ 10A, 2V |
トランジスタ型式 | NPN | PNP - Darlington | PNP - Darlington | NPN |
電流 - コレクタ遮断(最大) | 50µA | 500µA | 500µA | 50µA |
サプライヤデバイスパッケージ | TO-3 | TO-66 (TO-213AA) | TO-66 (TO-213AA) | TO-204 (TO-3) |
パッケージ | Bulk | Bulk | Bulk | Bag |
周波数 - トランジション | 40MHz | - | - | 40MHz |
シリーズ | - | - | - | - |
電流 - コレクタ(Ic)(Max) | 25 A | 8 A | 8 A | 25 A |
電圧 - コレクタエミッタブレークダウン(最大) | 120 V | 80 V | 60 V | 100 V |
2N6339 - Solid State Inc.の2N6339 PDFデータテーブルとSolid State Inc.ドキュメントをダウンロード
一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
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地域 | 国 | ロジスティック時間(日) |
アメリカ | アメリカ | 5 |
ブラジル | 7 | |
ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
イギリス | 4 | |
イタリア | 5 | |
オセアニア | オーストラリア | 6 |
ニュージーランド | 5 | |
アジア | インド | 4 |
日本 | 4 | |
中東 | イスラエル | 6 |
DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
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発送料(kg) | 参照DHL(USD $) |
0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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