2N5401の技術仕様
Solid State Inc. - 2N5401技術仕様、属性、パラメーター、およびSolid State Inc. - 2N5401仕様に似たパーツ
製品属性 | 属性値 | |
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メーカー | Solid State Inc. | |
IB、IC @ Vce飽和(最大) | - | |
トランジスタ型式 | PNP | |
サプライヤデバイスパッケージ | TO-92 | |
シリーズ | - | |
パッケージ/ケース | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) |
製品属性 | 属性値 | |
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パッケージ | Bulk | |
運転温度 | - | |
装着タイプ | Through Hole | |
周波数 - トランジション | - | |
Icを、Vceは@ DC電流ゲイン(hFEの)(最小) | - | |
電流 - コレクタ遮断(最大) | - |
右側の三つのパーツはSolid State Inc. 2N5401と同様の仕様
製品属性 | ||||
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部品型番 | 2N5401 | 2N5401BU | 2N5401 | 2N5401 |
メーカー | Solid State Inc. | onsemi | onsemi | NTE Electronics, Inc |
サプライヤデバイスパッケージ | TO-92 | TO-92-3 | TO-92 (TO-226) | TO-92 (TO-226) |
IB、IC @ Vce飽和(最大) | - | 500mV @ 5mA, 50mA | 500mV @ 5mA, 50mA | 500mV @ 5mA, 50mA |
電流 - コレクタ遮断(最大) | - | 50nA (ICBO) | 50nA (ICBO) | 50nA (ICBO) |
トランジスタ型式 | PNP | PNP | PNP | PNP |
周波数 - トランジション | - | 400MHz | 300MHz | 300MHz |
Icを、Vceは@ DC電流ゲイン(hFEの)(最小) | - | 60 @ 10mA, 5V | 60 @ 10mA, 5V | 60 @ 10mA, 5V |
運転温度 | - | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
パッケージ | Bulk | Bulk | Bulk | Bag |
装着タイプ | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
シリーズ | - | - | - | - |
パッケージ/ケース | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) | TO-226-3, TO-92-3 Long Body | TO-226-3, TO-92-3 Long Body |
一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
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地域 | 国 | ロジスティック時間(日) |
アメリカ | アメリカ | 5 |
ブラジル | 7 | |
ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
イギリス | 4 | |
イタリア | 5 | |
オセアニア | オーストラリア | 6 |
ニュージーランド | 5 | |
アジア | インド | 4 |
日本 | 4 | |
中東 | イスラエル | 6 |
DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
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発送料(kg) | 参照DHL(USD $) |
0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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