2N5116の技術仕様
Solid State Inc. - 2N5116技術仕様、属性、パラメーター、およびSolid State Inc. - 2N5116仕様に似たパーツ
製品属性 | 属性値 | |
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メーカー | Solid State Inc. | |
電圧 - ブレークダウン(V(BR)GSS) | 30 V | |
サプライヤデバイスパッケージ | TO-18 | |
シリーズ | - | |
抵抗 - RDS(ON) | 150 Ohms | |
電力 - 最大 | 500 mW | |
パッケージ/ケース | TO-206AA, TO-18-3 Metal Can |
製品属性 | 属性値 | |
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パッケージ | Bulk | |
運転温度 | - | |
装着タイプ | Through Hole | |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 25pF @ 15V | |
FETタイプ | P-Channel | |
ソース電圧(VDSS)にドレイン | 600 mV |
右側の三つのパーツはSolid State Inc. 2N5116と同様の仕様
製品属性 | ![]() |
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部品型番 | 2N5116 | 2N5116 | 2N5116-E3 | 2N5115 |
メーカー | Solid State Inc. | Microchip Technology | Vishay Siliconix | Vishay Siliconix |
サプライヤデバイスパッケージ | TO-18 | TO-18 | TO-206AA (TO-18) | TO-206AA (TO-18) |
パッケージ | Bulk | Bulk | Tube | Tube |
電圧 - ブレークダウン(V(BR)GSS) | 30 V | 30 V | - | - |
抵抗 - RDS(ON) | 150 Ohms | 175 Ohms | - | - |
ソース電圧(VDSS)にドレイン | 600 mV | 30 V | - | - |
運転温度 | - | -65°C ~ 200°C (TJ) | - | - |
装着タイプ | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 25pF @ 15V | 27pF @ 15V | - | - |
FETタイプ | P-Channel | P-Channel | - | - |
シリーズ | - | Military, MIL-PRF-19500 | - | - |
電力 - 最大 | 500 mW | 500 mW | - | - |
パッケージ/ケース | TO-206AA, TO-18-3 Metal Can | TO-206AA, TO-18-3 Metal Can | TO-206AA, TO-18-3 Metal Can | TO-206AA, TO-18-3 Metal Can |
2N5116 - Solid State Inc.の2N5116 PDFデータテーブルとSolid State Inc.ドキュメントをダウンロード
一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
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地域 | 国 | ロジスティック時間(日) |
アメリカ | アメリカ | 5 |
ブラジル | 7 | |
ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
イギリス | 4 | |
イタリア | 5 | |
オセアニア | オーストラリア | 6 |
ニュージーランド | 5 | |
アジア | インド | 4 |
日本 | 4 | |
中東 | イスラエル | 6 |
DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
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発送料(kg) | 参照DHL(USD $) |
0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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