1N250RAの技術仕様
Solid State Inc. - 1N250RA技術仕様、属性、パラメーター、およびSolid State Inc. - 1N250RA仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | Solid State Inc. | |
| 電圧 - フォワード（VF）（最大）の場合@ | 1.19 V @ 90 A | |
| 電圧 - 逆（VR）（最大） | 200 V | |
| 技術 | Standard, Reverse Polarity | |
| サプライヤデバイスパッケージ | DO-5 | |
| 速度 | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | |
| シリーズ | - |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| パッケージ/ケース | DO-203AB, DO-5, Stud | |
| パッケージ | Box | |
| 動作温度 - ジャンクション | -65°C ~ 200°C | |
| 装着タイプ | Stud Mount | |
| 電流 - 漏れ@ Vrとリバース | 10 µA @ 200 V | |
| 電流 - 平均整流（イオ） | 40A | |
| Vrと、F @キャパシタンス | - |
| 属性 | 説明 |
|---|---|
| RoHS ステータス | |
| 湿度感度レベル（MSL） | 1 (Unlimited) |
| 州に到達します | Vendor Undefined |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS |
右側の三つのパーツはSolid State Inc. 1N250RAと同様の仕様
| 製品属性 |  |
 |
|
|
|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | 1N250RA | 1N2598 | 1N250R | 1N250RB |
| メーカー | Solid State Inc. | Microchip Technology | Solid State Inc. | Solid State Inc. |
| 電流 - 漏れ@ Vrとリバース | 10 µA @ 200 V | 10 µA @ 50 V | 10 µA @ 200 V | 10 µA @ 200 V |
| サプライヤデバイスパッケージ | DO-5 | DO-4 (DO-203AA) | DO-5 | DO-5 |
| 電圧 - フォワード（VF）（最大）の場合@ | 1.19 V @ 90 A | 1.2 V @ 30 A | 1.19 V @ 90 A | 1.19 V @ 90 A |
| 電流 - 平均整流（イオ） | 40A | 22A | 40A | 40A |
| Vrと、F @キャパシタンス | - | - | - | - |
| 電圧 - 逆（VR）（最大） | 200 V | 50 V | 200 V | 200 V |
| パッケージ | Box | Bulk | Box | Box |
| 動作温度 - ジャンクション | -65°C ~ 200°C | -65°C ~ 200°C | -65°C ~ 200°C | -65°C ~ 200°C |
| シリーズ | - | - | - | - |
| パッケージ/ケース | DO-203AB, DO-5, Stud | DO-203AA, DO-4, Stud | DO-203AB, DO-5, Stud | DO-203AB, DO-5, Stud |
| 技術 | Standard, Reverse Polarity | Standard | Standard, Reverse Polarity | Standard, Reverse Polarity |
| 装着タイプ | Stud Mount | Stud Mount | Stud Mount | Stud Mount |
| 速度 | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
1N2598Microchip TechnologyDIODE GEN PURP 50V 22A DO4
1N2500RMicrosemiIGBT Module1N250RSolid State Inc.DIODE GEN PURP REV 200V 40A DO51N255RMicrosemiIGBT Module1N2515RMicrosemiIGBT Module1N250RBSolid State Inc.DIODE GEN PURP REV 200V 40A DO51N2517RMicrosemiIGBT Module1N250BSolid State Inc.DIODE GEN PURP 200V 40A DO51N2598AMicrosemiIGBT Module1N250AMicrochip TechnologyDIODE GEN PURP 200V 40A DO51N250CSolid State Inc.DIODE GEN PURP 200V 40A DO51N2517MicrosemiIGBT Module1N2515MicrosemiIGBT Module1N2500MicrosemiIGBT Module1N250ASolid State Inc.DIODE GEN PURP 200V 40A DO51N250CMicrochip TechnologyDIODE GEN PURP 200V 20A DO51N2598ARMicrosemiIGBT Module1N250BMicrochip TechnologyDIODE GEN PURP 200V 40A DO5| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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