1N2129の技術仕様
Solid State Inc. - 1N2129技術仕様、属性、パラメーター、およびSolid State Inc. - 1N2129仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | Solid State Inc. | |
| 電圧 - フォワード（VF）（最大）の場合@ | 1.25 V @ 200 A | |
| 電圧 - 逆（VR）（最大） | 100 V | |
| 技術 | Standard | |
| サプライヤデバイスパッケージ | DO-5 | |
| 速度 | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | |
| シリーズ | - |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| パッケージ/ケース | DO-203AB, DO-5, Stud | |
| パッケージ | Box | |
| 動作温度 - ジャンクション | -65°C ~ 200°C | |
| 装着タイプ | Stud Mount | |
| 電流 - 漏れ@ Vrとリバース | 25 µA @ 100 V | |
| 電流 - 平均整流（イオ） | 70A | |
| Vrと、F @キャパシタンス | - |
| 属性 | 説明 |
|---|---|
| RoHS ステータス | |
| 湿度感度レベル（MSL） | 1 (Unlimited) |
| 州に到達します | Vendor Undefined |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS |
右側の三つのパーツはSolid State Inc. 1N2129と同様の仕様
| 製品属性 |  |
 |
|
|
|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | 1N2129 | 1N2128R | 1N2129R | 1N2129A |
| メーカー | Solid State Inc. | Microchip Technology | Solid State Inc. | Microchip Technology |
| パッケージ/ケース | DO-203AB, DO-5, Stud | DO-203AB, DO-5, Stud | DO-203AB, DO-5, Stud | DO-203AB, DO-5, Stud |
| シリーズ | - | - | - | - |
| 電流 - 平均整流（イオ） | 70A | 70A | 70A | 70A |
| 速度 | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| 電圧 - フォワード（VF）（最大）の場合@ | 1.25 V @ 200 A | 1.25 V @ 200 A | 1.25 V @ 200 A | 1.25 V @ 200 A |
| 電圧 - 逆（VR）（最大） | 100 V | 50 V | 100 V | 100 V |
| パッケージ | Box | Bulk | Box | Bulk |
| 電流 - 漏れ@ Vrとリバース | 25 µA @ 100 V | 25 µA @ 50 V | 25 µA @ 100 V | 25 µA @ 100 V |
| Vrと、F @キャパシタンス | - | - | - | - |
| 装着タイプ | Stud Mount | Stud Mount | Stud Mount | Stud Mount |
| 技術 | Standard | Standard, Reverse Polarity | Standard, Reverse Polarity | Standard |
| サプライヤデバイスパッケージ | DO-5 | DO-5 (DO-203AB) | DO-5 | DO-5 (DO-203AB) |
| 動作温度 - ジャンクション | -65°C ~ 200°C | -65°C ~ 200°C | -65°C ~ 200°C | -65°C ~ 200°C |
1N2128RMicrochip TechnologyDIODE GEN PURP REV 50V 70A DO51N2129RSolid State Inc.DIODE GEN PURP REV 100V 70A DO51N2129AMicrochip TechnologyDIODE GEN PURP 100V 70A DO5
1N2129AGeneSiC SemiconductorDIODE GEN PURP 100V 60A DO51N2129ASolid State Inc.DIODE GEN PURP 100V 70A DO51N2128RASolid State Inc.DIODE GEN PURP REV 50V 70A DO51N2129Microchip TechnologyDIODE GEN PURP 100V 70A DO51N2129RAMicrochip TechnologyDIODE GEN PURP REV 100V 70A DO51N2129RASolid State Inc.DIODE GEN PURP REV 100V 70A DO51N2128ARMicrochip TechnologyDIODE GEN PURP REV 50V 70A DO51N2128RSolid State Inc.DIODE GEN PURP REV 50V 70A DO51N2129RMicrochip TechnologyDIODE GEN PURP REV 100V 70A DO51N2129ARGeneSiC SemiconductorDIODE GEN PURP REV 100V 60A DO51N2128RAMicrochip TechnologyDIODE GEN PURP REV 50V 70A DO51N2129ARMicrochip TechnologyDIODE GEN PURP REV 100V 70A DO51N2128AMicrochip TechnologyDIODE GEN PURP 50V 70A DO51N2128AGeneSiC SemiconductorDIODE GEN PURP 50V 60A DO51N2128ARGeneSiC SemiconductorDIODE GEN PURP REV 50V 60A DO5| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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