1N1200Rの技術仕様
Solid State Inc. - 1N1200R技術仕様、属性、パラメーター、およびSolid State Inc. - 1N1200R仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | Solid State Inc. | |
| 電圧 - フォワード（VF）（最大）の場合@ | 1.2 V @ 30 A | |
| 電圧 - 逆（VR）（最大） | 100 V | |
| 技術 | Standard, Reverse Polarity | |
| サプライヤデバイスパッケージ | DO-4 | |
| 速度 | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | |
| シリーズ | - |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| パッケージ/ケース | DO-203AA, DO-4, Stud | |
| パッケージ | Box | |
| 動作温度 - ジャンクション | -65°C ~ 200°C | |
| 装着タイプ | Stud Mount | |
| 電流 - 漏れ@ Vrとリバース | 10 µA @ 100 V | |
| 電流 - 平均整流（イオ） | 12A | |
| Vrと、F @キャパシタンス | - |
右側の三つのパーツはSolid State Inc. 1N1200Rと同様の仕様
| 製品属性 |  |
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|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | 1N1200R | 1N1200A | 1N1200A | 1N1201B |
| メーカー | Solid State Inc. | GeneSiC Semiconductor | Microchip Technology | Solid State Inc. |
| 速度 | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| 電圧 - フォワード（VF）（最大）の場合@ | 1.2 V @ 30 A | 1.1 V @ 12 A | 1.2 V @ 30 A | 1.2 V @ 30 A |
| 電流 - 平均整流（イオ） | 12A | 12A | 12A | 12A |
| パッケージ/ケース | DO-203AA, DO-4, Stud | DO-203AA, DO-4, Stud | DO-203AA, DO-4, Stud | DO-203AA, DO-4, Stud |
| 動作温度 - ジャンクション | -65°C ~ 200°C | -65°C ~ 200°C | -65°C ~ 200°C | -65°C ~ 200°C |
| サプライヤデバイスパッケージ | DO-4 | DO-4 | DO-4 (DO-203AA) | DO-4 |
| Vrと、F @キャパシタンス | - | - | - | - |
| パッケージ | Box | Bulk | Bulk | Box |
| 技術 | Standard, Reverse Polarity | Standard | Standard | Standard |
| 電流 - 漏れ@ Vrとリバース | 10 µA @ 100 V | 10 µA @ 50 V | 10 µA @ 100 V | 10 µA @ 150 V |
| 装着タイプ | Stud Mount | Chassis, Stud Mount | Stud Mount | Stud Mount |
| 電圧 - 逆（VR）（最大） | 100 V | 100 V | 100 V | 150 V |
| シリーズ | - | - | - | - |
1N1200R - Solid State Inc.の1N1200R PDFデータテーブルとSolid State Inc.ドキュメントをダウンロード
1N1200AGeneSiC SemiconductorDIODE GEN PURP 100V 12A DO41N1200AMicrochip TechnologySTANDARD RECTIFIER1N1201BSolid State Inc.DIODE GEN PURP 150V 12A DO41N1201Microchip TechnologySTANDARD RECTIFIER1N1201AMicrochip TechnologyDIODE GEN PURP 150V 12A DO203AA1N1201BRMicrochip TechnologySTANDARD RECTIFIER1N1200CMicrochip TechnologySTANDARD RECTIFIER1N1200BSolid State Inc.DIODE GEN PURP 100V 12A DO41N1200BRMicrochip TechnologySTANDARD RECTIFIER1N1200RASolid State Inc.DIODE GEN PURP REV 100V 12A DO41N1201BMicrochip TechnologySTANDARD RECTIFIER1N1201Solid State Inc.DIODE GEN PURP 150V 12A DO41N1200ASolid State Inc.DIODE GEN PURP 100V 12A DO41N1200ARGeneSiC SemiconductorDIODE GEN PURP REV 100V 12A DO41N1200ARMicrochip TechnologySTANDARD RECTIFIER1N1200BMicrochip TechnologySTANDARD RECTIFIER1N1200RMicrochip TechnologySTANDARD RECTIFIER1N1200RBSolid State Inc.DIODE GEN PURP REV 100V 12A DO4| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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