1N1199RAの技術仕様
Solid State Inc. - 1N1199RA技術仕様、属性、パラメーター、およびSolid State Inc. - 1N1199RA仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | Solid State Inc. | |
| 電圧 - フォワード（VF）（最大）の場合@ | 1.2 V @ 30 A | |
| 電圧 - 逆（VR）（最大） | 50 V | |
| 技術 | Standard, Reverse Polarity | |
| サプライヤデバイスパッケージ | DO-4 | |
| 速度 | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | |
| シリーズ | - |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| パッケージ/ケース | DO-203AA, DO-4, Stud | |
| パッケージ | Box | |
| 動作温度 - ジャンクション | -65°C ~ 200°C | |
| 装着タイプ | Stud Mount | |
| 電流 - 漏れ@ Vrとリバース | 10 µA @ 50 V | |
| 電流 - 平均整流（イオ） | 12A | |
| Vrと、F @キャパシタンス | - |
| 属性 | 説明 |
|---|---|
| RoHS ステータス | |
| 湿度感度レベル（MSL） | 1 (Unlimited) |
| 州に到達します | Vendor Undefined |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS |
右側の三つのパーツはSolid State Inc. 1N1199RAと同様の仕様
| 製品属性 |  |
 |
|
|
|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | 1N1199RA | 1N1199R | 1N1200A | 1N1200A |
| メーカー | Solid State Inc. | Microchip Technology | Microchip Technology | Solid State Inc. |
| 電圧 - フォワード（VF）（最大）の場合@ | 1.2 V @ 30 A | 1.2 V @ 30 A | 1.2 V @ 30 A | 1.2 V @ 30 A |
| 技術 | Standard, Reverse Polarity | Standard, Reverse Polarity | Standard | Standard |
| 動作温度 - ジャンクション | -65°C ~ 200°C | -65°C ~ 200°C | -65°C ~ 200°C | -65°C ~ 200°C |
| シリーズ | - | - | - | - |
| パッケージ/ケース | DO-203AA, DO-4, Stud | DO-203AA, DO-4, Stud | DO-203AA, DO-4, Stud | DO-203AA, DO-4, Stud |
| パッケージ | Box | Bulk | Bulk | Box |
| 速度 | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| 電流 - 平均整流（イオ） | 12A | 12A | 12A | 12A |
| 電流 - 漏れ@ Vrとリバース | 10 µA @ 50 V | 10 µA @ 50 V | 10 µA @ 100 V | 10 µA @ 100 V |
| Vrと、F @キャパシタンス | - | - | - | - |
| サプライヤデバイスパッケージ | DO-4 | DO-4 (DO-203AA) | DO-4 (DO-203AA) | DO-4 |
| 装着タイプ | Stud Mount | Stud Mount | Stud Mount | Stud Mount |
| 電圧 - 逆（VR）（最大） | 50 V | 50 V | 100 V | 100 V |
1N1199RA - Solid State Inc.の1N1199RA PDFデータテーブルとSolid State Inc.ドキュメントをダウンロード
1N1199RMicrochip TechnologySTANDARD RECTIFIER1N1200AMicrochip TechnologySTANDARD RECTIFIER1N1200ASolid State Inc.DIODE GEN PURP 100V 12A DO41N1199BSolid State Inc.DIODE GEN PURP 50V 12A DO41N1200ARMicrochip TechnologySTANDARD RECTIFIER
1N1199ARGeneSiC SemiconductorDIODE GEN PURP REV 50V 12A DO41N1199BMicrochip TechnologySTANDARD RECTIFIER1N1200ARGeneSiC SemiconductorDIODE GEN PURP REV 100V 12A DO41N1200BMicrochip TechnologySTANDARD RECTIFIER1N1199RSolid State Inc.DIODE GEN PURP REV 50V 12A DO41N1199CMicrochip TechnologySTANDARD RECTIFIER1N1199RBSolid State Inc.DIODE GEN PURP REV 50V 12A DO41N1199ARMicrochip TechnologySTANDARD RECTIFIER1N1200Solid State Inc.DIODE GEN PURP 100V 12A DO41N1200Microchip TechnologySTANDARD RECTIFIER1N1199AGeneSiC SemiconductorDIODE GEN PURP 50V 12A DO41N1199BRMicrochip TechnologySTANDARD RECTIFIER1N1200AGeneSiC SemiconductorDIODE GEN PURP 100V 12A DO4| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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