SIT8008BI-21-33E-16.000000の技術仕様
SiTime - SIT8008BI-21-33E-16.000000技術仕様、属性、パラメーター、およびSiTime - SIT8008BI-21-33E-16.000000仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | SiTime | |
| 電源電圧 - | 3.3V | |
| タイプ | XO (Standard) | |
| スペクトラム拡散帯域幅 | - | |
| サイズ/寸法 | 0.126" L x 0.098" W (3.20mm x 2.50mm) | |
| シリーズ | SiT8008B | |
| 評価 | - | |
| パッケージ/ケース | 4-SMD, No Lead | |
| パッケージ | Strip | |
| 出力 | HCMOS, LVCMOS |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| 運転温度 | -40°C ~ 85°C | |
| 装着タイプ | Surface Mount | |
| 高さ - 着席（最大） | 0.031" (0.80mm) | |
| 関数 | Enable/Disable | |
| 周波数安定性 | ±20ppm | |
| 周波数 | 16 MHz | |
| 電流 - 供給（最大） | 4.5mA | |
| 電流 - 供給（無効にする）（最大） | 4.2mA | |
| ベース共振器 | MEMS | |
| 絶対プルレンジ（APR） | - |
| 属性 | 説明 |
|---|---|
| RoHS ステータス | |
| 湿度感度レベル（MSL） | 1 (Unlimited) |
| 州に到達します | |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS | 8542.39.0001 |
右側の三つのパーツはSiTime SIT8008BI-21-33E-16.000000と同様の仕様
| 製品属性 |  |
 |
|
|
|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | SIT8008BI-21-33E-16.000000 | SIT8008BI-11-18E-27.000000 | SIT8008BI-11-33E-10.000000 | SIT8008BI-21-33E-50.000000 |
| メーカー | SiTime | SiTime | SiTime | SiTime |
| 高さ - 着席（最大） | 0.031" (0.80mm) | 0.031" (0.80mm) | 0.031" (0.80mm) | 0.031" (0.80mm) |
| 絶対プルレンジ（APR） | - | - | - | - |
| 装着タイプ | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| シリーズ | SiT8008B | SiT8008B | SiT8008B | SiT8008B |
| 電流 - 供給（最大） | 4.5mA | 4.1mA | 4.5mA | 4.5mA |
| 電源電圧 - | 3.3V | 1.8V | 3.3V | 3.3V |
| サイズ/寸法 | 0.126" L x 0.098" W (3.20mm x 2.50mm) | 0.098" L x 0.079" W (2.50mm x 2.00mm) | 0.098" L x 0.079" W (2.50mm x 2.00mm) | 0.126" L x 0.098" W (3.20mm x 2.50mm) |
| ベース共振器 | MEMS | MEMS | MEMS | MEMS |
| タイプ | XO (Standard) | XO (Standard) | XO (Standard) | XO (Standard) |
| 周波数 | 16 MHz | 27 MHz | 10 MHz | 50 MHz |
| 出力 | HCMOS, LVCMOS | HCMOS, LVCMOS | HCMOS, LVCMOS | HCMOS, LVCMOS |
| パッケージ/ケース | 4-SMD, No Lead | 4-SMD, No Lead | 4-SMD, No Lead | 4-SMD, No Lead |
| スペクトラム拡散帯域幅 | - | - | - | - |
| パッケージ | Strip | Strip | Strip | Strip |
| 関数 | Enable/Disable | Enable/Disable | Enable/Disable | Enable/Disable |
| 評価 | - | - | - | - |
| 周波数安定性 | ±20ppm | ±20ppm | ±20ppm | ±20ppm |
| 電流 - 供給（無効にする）（最大） | 4.2mA | 4mA | 4.2mA | 4.2mA |
| 運転温度 | -40°C ~ 85°C | -40°C ~ 85°C | -40°C ~ 85°C | -40°C ~ 85°C |
SIT8008BI-21-33E-16.000000 - SiTimeのSIT8008BI-21-33E-16.000000 PDFデータテーブルとSiTimeドキュメントをダウンロード
SIT8008BI-11-18E-27.000000SiTimeMEMS OSC XO 27.0000MHZ H/LV-CMOSSIT8008BI-11-33E-10.000000SiTimeMEMS OSC XO 10.0000MHZ H/LV-CMOSSIT8008BI-21-33E-50.000000SiTimeMEMS OSC XO 50.0000MHZ H/LV-CMOSSIT8008BI-22-33E-25.000000SiTimeMEMS OSC XO 25.0000MHZ H/LV-CMOS
SIT8008BI-22-18E-20.000000DSiTime
SIT8008BCE7-18ESiTimeOSC PROG LVCMOS 1.8V EN/DS SMDSIT8008BC-23-33S-50.000000SiTimeMEMS OSC XO 50.0000MHZ HCMOSSIT8008BI-11-18S-25.000000SiTimeMEMS OSC XO 25.0000MHZ HCMOSSiT8008BI-21-33E-70.000000SiTimeSiT8008BI-21-18E-48.000000SiTimeSiT8008BI-21-33E-3.579000SiTimeSiT8008BI-12-33E-27.00000SiTimeSiT8008BI-21-33E-33.000000SiTimeSIT8008BI-22-25S-80.000000SiTimeMEMS OSC XO 80.0000MHZ HCMOSSIT8008BI-21-33S-33.333300SiTimeSIT8008BI-22-18E-48.000000SiTimeSIT8008BI-11-18E-50.000000SiTimeMEMS OSC XO 50.0000MHZ H/LV-CMOS
SIT8008BC-82-33E-24.998125YSiTimeOSC MEMS 24.998125MHZ LVCMOS SMD| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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