1N4006Gの技術仕様
SMC Diode Solutions - 1N4006G技術仕様、属性、パラメーター、およびSMC Diode Solutions - 1N4006G仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | Sangdest Microelectronics / Nanjing (SMC Diode Solutions) | |
| 電圧 - フォワード（VF）（最大）の場合@ | 1 V @ 1 A | |
| 電圧 - 逆（VR）（最大） | 800 V | |
| 技術 | Standard | |
| サプライヤデバイスパッケージ | DO-41 | |
| 速度 | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | |
| シリーズ | - | |
| パッケージ/ケース | DO-204AL, DO-41, Axial |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| パッケージ | Tape & Reel (TR) | |
| 動作温度 - ジャンクション | -65°C ~ 175°C | |
| 装着タイプ | Through Hole | |
| 電流 - 漏れ@ Vrとリバース | 5 µA @ 800 V | |
| 電流 - 平均整流（イオ） | 1A | |
| Vrと、F @キャパシタンス | 8pF @ 4V, 1MHz | |
| 基本製品番号 | 1N400 |
右側の三つのパーツはSMC Diode Solutions 1N4006Gと同様の仕様
| 製品属性 |  |
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|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | 1N4006G | 1N4007 | 1N4006 | 1N4007 |
| メーカー | SMC Diode Solutions | EIC SEMICONDUCTOR INC. | Diotec Semiconductor | Rectron USA |
| 電圧 - 逆（VR）（最大） | 800 V | 1000 V | 800 V | 1000 V |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) | Box | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
| 電流 - 平均整流（イオ） | 1A | 1A | 1A | 1A |
| 装着タイプ | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
| Vrと、F @キャパシタンス | 8pF @ 4V, 1MHz | 15pF @ 4V, 1MHz | - | 15pF @ 4V, 1MHz |
| 電圧 - フォワード（VF）（最大）の場合@ | 1 V @ 1 A | 1.1 V @ 1 A | 1.1 V @ 1 A | 1 V @ 1 A |
| シリーズ | - | - | - | Automotive, AEC-Q101 |
| 技術 | Standard | Standard | Standard | Standard |
| 基本製品番号 | 1N400 | - | - | - |
| 速度 | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| 電流 - 漏れ@ Vrとリバース | 5 µA @ 800 V | 5 µA @ 1000 V | 5 µA @ 800 V | 200 nA @ 1000 V |
| パッケージ/ケース | DO-204AL, DO-41, Axial | DO-204AL, DO-41, Axial | DO-204AC, DO-41, Axial | DO-204AL, DO-41, Axial |
| サプライヤデバイスパッケージ | DO-41 | DO-41 | DO-41/DO-204AC | DO-41 |
| 動作温度 - ジャンクション | -65°C ~ 175°C | -65°C ~ 175°C | -50°C ~ 175°C | -55°C ~ 150°C |
1N4006G - SMC Diode Solutionsの1N4006G PDFデータテーブルとSMC Diode Solutionsドキュメントをダウンロード
1N4007EIC SEMICONDUCTOR INC.DIODE GEN PURP 1KV 1A DO411N4006Diotec SemiconductorDIODE GEN PURP 800V 1A DO411N4007Rectron USADIODE GEN PURP 1KV 1A DO411N4006G-T-S-NTRectron USA
1N4006onsemiDIODE GEN PURP 800V 1A DO411N4007NTE Electronics, IncDIODE GEN PURP 1KV 1A DO411N4007onsemiDIODE GEN PURP 1KV 1A DO411N4007SMC Diode SolutionsDIODE GEN PURP 1KV 1A DO411N4006NTE Electronics, IncDIODE GEN PURP 800V 1A DO411N4006-E3/54Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE GEN PURP 800V 1A DO204AL1N4006-E3/73Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE GEN PURP 800V 1A DO204AL
1N4007Micro Commercial CoDIODE GEN PURP 1KV 1A DO411N4006Micro Commercial CoDIODE GEN PURP 800V 1A DO411N4006SMC Diode SolutionsDIODE GEN PURP 800V 1A DO411N4006GonsemiDIODE GEN PURP 800V 1A AXIAL1N4007Diotec SemiconductorDIODE STD DO-41 1000V 1A1N4006GTaiwan Semiconductor CorporationDIODE GEN PURP 800V 1A DO204AL1N4006FFGonsemiDIODE GEN PURP 800V 1A AXIAL| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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