STY100NS20FDの技術仕様
STMicroelectronics - STY100NS20FD技術仕様、属性、パラメーター、およびSTMicroelectronics - STY100NS20FD仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | STMicroelectronics | |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 4V @ 250µA | |
| Vgs（最大） | ±20V | |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| サプライヤデバイスパッケージ | MAX247™ | |
| シリーズ | MESH OVERLAY™ | |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 24mOhm @ 50A, 10V | |
| 電力消費（最大） | 450W (Tc) | |
| パッケージ/ケース | TO-247-3 | |
| パッケージ | Tube |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| 運転温度 | 150°C (TJ) | |
| 装着タイプ | Through Hole | |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 7900 pF @ 25 V | |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 360 nC @ 10 V | |
| FETタイプ | N-Channel | |
| FET特長 | - | |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V | |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 200 V | |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 100A (Tc) | |
| 基本製品番号 | STY100 |
| 属性 | 説明 |
|---|---|
| RoHS ステータス | |
| 湿度感度レベル（MSL） | 1 (Unlimited) |
| 州に到達します | REACH Unaffected |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS |
右側の三つのパーツはSTMicroelectronics STY100NS20FDと同様の仕様
| 製品属性 |  |
 |
|
|
|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | STY100NS20FD | STY34NB50 | STY145N65M5 | STY60NM50 |
| メーカー | STMicroelectronics | STMicroelectronics | STMicroelectronics | STMicroelectronics |
| 装着タイプ | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 100A (Tc) | 34A (Tc) | 138A (Tc) | 60A (Tc) |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 4V @ 250µA | 5V @ 250µA | 5V @ 250µA | 5V @ 250µA |
| 運転温度 | 150°C (TJ) | 150°C (TJ) | 150°C (TJ) | 150°C (TJ) |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 7900 pF @ 25 V | 9100 pF @ 25 V | 18500 pF @ 100 V | 7500 pF @ 25 V |
| パッケージ/ケース | TO-247-3 | TO-247-3 | TO-247-3 | TO-247-3 |
| Vgs（最大） | ±20V | ±30V | ±25V | ±30V |
| サプライヤデバイスパッケージ | MAX247™ | MAX247™ | MAX247™ | MAX247™ |
| FET特長 | - | - | - | - |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V | 10V | 10V | 10V |
| FETタイプ | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 24mOhm @ 50A, 10V | 130mOhm @ 17A, 10V | 15mOhm @ 69A, 10V | 50mOhm @ 30A, 10V |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 200 V | 500 V | 650 V | 500 V |
| パッケージ | Tube | Tube | Tube | Tube |
| シリーズ | MESH OVERLAY™ | PowerMESH™ | MDmesh™ V | MDmesh™ |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 360 nC @ 10 V | 223 nC @ 10 V | 414 nC @ 10 V | 266 nC @ 10 V |
| 電力消費（最大） | 450W (Tc) | 450W (Tc) | 625W (Tc) | 560W (Tc) |
| 基本製品番号 | STY100 | STY34N | STY145 | STY60 |
STY100NS20FD - STMicroelectronicsのSTY100NS20FD PDFデータテーブルとSTMicroelectronicsドキュメントをダウンロード
STY30NA50STMicroelectronicsSTY50N105DK5STMicroelectronicsSTY34NB50STMicroelectronicsMOSFET N-CH 500V 34A MAX247STY145N65M5STMicroelectronicsMOSFET N-CH 650V 138A MAX247STY34NB50FSTMicroelectronicsSTY60NM50STMicroelectronicsMOSFET N-CH 500V 60A MAX247STY16NA90STMicroelectronicsSTY105NM50NSTMicroelectronicsMOSFET N-CH 500V 110A MAX247STY25NA60STMicroelectronicsSTY139N65M5STMicroelectronicsMOSFET N-CH 650V 130A MAX247STY30NK90ZSTMicroelectronicsMOSFET N-CH 900V 26A MAX247STY60NA20 CMH82N25STMicroelectronicsSTY140NS10STMicroelectronicsMOSFET N-CH 100V 140A MAX247STY60NM50 MOSSTMicroelectronicsSTY60NM60STMicroelectronicsMOSFET N-CH 600V 60A MAX247STY60NK30ZSTMicroelectronicsMOSFET N-CH 300V 60A MAX247STY100NM60NSTMicroelectronicsMOSFET N CH 600V 98A MAX247STY112N65M5STMicroelectronicsMOSFET N-CH 650V 96A MAX247| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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