STW80NF55-08の技術仕様
STMicroelectronics - STW80NF55-08技術仕様、属性、パラメーター、およびSTMicroelectronics - STW80NF55-08仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | STMicroelectronics | |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 4V @ 250µA | |
| Vgs（最大） | ±20V | |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| サプライヤデバイスパッケージ | TO-247-3 | |
| シリーズ | STripFET™ | |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 8mOhm @ 40A, 10V | |
| 電力消費（最大） | 300W (Tc) | |
| パッケージ/ケース | TO-247-3 | |
| パッケージ | Tube |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| 運転温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| 装着タイプ | Through Hole | |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 3850 pF @ 25 V | |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 150 nC @ 10 V | |
| FETタイプ | N-Channel | |
| FET特長 | - | |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V | |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 55 V | |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 80A (Tc) | |
| 基本製品番号 | STW80N |
右側の三つのパーツはSTMicroelectronics STW80NF55-08と同様の仕様
| 製品属性 |  |
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|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | STW80NF55-08 | STW8N120K5 | STW80NE06-10 | STW7NK90Z |
| メーカー | STMicroelectronics | STMicroelectronics | STMicroelectronics | STMicroelectronics |
| 運転温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | 175°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Vgs（最大） | ±20V | ±30V | ±20V | ±30V |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 3850 pF @ 25 V | 505 pF @ 100 V | 7600 pF @ 25 V | 1350 pF @ 25 V |
| パッケージ/ケース | TO-247-3 | TO-247-3 | TO-247-3 | TO-247-3 |
| 装着タイプ | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
| FET特長 | - | - | - | - |
| サプライヤデバイスパッケージ | TO-247-3 | TO-247 | TO-247-3 | TO-247-3 |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V | 10V | 10V | 10V |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 150 nC @ 10 V | 13.7 nC @ 10 V | 189 nC @ 10 V | 60.5 nC @ 10 V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 80A (Tc) | 6A (Tc) | 80A (Tc) | 5.8A (Tc) |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 55 V | 1200 V | 60 V | 900 V |
| パッケージ | Tube | Tube | Tube | Tube |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 4V @ 250µA | 5V @ 100µA | 4V @ 250µA | 4.5V @ 100µA |
| シリーズ | STripFET™ | MDmesh™ K5 | STripFET™ | SuperMESH™ |
| 電力消費（最大） | 300W (Tc) | 130W (Tc) | 250W (Tc) | 140W (Tc) |
| 基本製品番号 | STW80N | STW8 | STW80N | STW7NK90 |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 8mOhm @ 40A, 10V | 2Ohm @ 2.5A, 10V | 10mOhm @ 40A, 10V | 2Ohm @ 2.9A, 10V |
| FETタイプ | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
STW80NF55-08 - STMicroelectronicsのSTW80NF55-08 PDFデータテーブルとSTMicroelectronicsドキュメントをダウンロード
STW81102ATSTMicroelectronicsIC FREQ SYNTH 28VFQFPNSTW8N120K5STMicroelectronicsMOSFET N-CH 1200V 6A TO247STW80NF55-06STMicroelectronicsSTW80NE06-10STMicroelectronicsMOSFET N-CH 60V 80A TO247-3
STW82102BTRSTMicroelectronicsIC MIXER 1425-1910MHZ DWN CONVSTW7NK95K3STMicroelectronicsSTW81102ATRSTMicroelectronicsIC FREQ SYNTH 28VFQFPNSTW82101BTRSTMicroelectronicsIC MIXER 695-960MHZ DWN CONVSTW7NK90Z MOSSTMicroelectronicsSTW8009B27T/LFSTMicroelectronicsSTW81101ATRSTMicroelectronicsIC FREQ SYNTH 28VFQFPNSTW7NK90ZSTMicroelectronicsMOSFET N-CH 900V 5.8A TO247-3STW811L2STMicroelectronicsSTW81101ATSTMicroelectronicsIC FREQ SYNTH 28VFQFPNSTW7NA80STMicroelectronicsSTW80NE06-10 MOSSTMicroelectronicsSTW7N95K3STMicroelectronicsMOSFET N-CH 950V 7.2A TO247-3STW7NC90ZSTMicroelectronics| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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