STW5NK100Zの技術仕様
STMicroelectronics - STW5NK100Z技術仕様、属性、パラメーター、およびSTMicroelectronics - STW5NK100Z仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | STMicroelectronics | |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 4.5V @ 100µA | |
| Vgs（最大） | ±30V | |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| サプライヤデバイスパッケージ | TO-247-3 | |
| シリーズ | SuperMESH3™ | |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 3.7Ohm @ 1.75A, 10V | |
| 電力消費（最大） | 125W (Tc) | |
| パッケージ/ケース | TO-247-3 | |
| パッケージ | Tube |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| 装着タイプ | Through Hole | |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 1154 pF @ 25 V | |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 59 nC @ 10 V | |
| FETタイプ | N-Channel | |
| FET特長 | - | |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V | |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 1000 V | |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 3.5A (Tc) | |
| 基本製品番号 | STW5NK100 |
右側の三つのパーツはSTMicroelectronics STW5NK100Zと同様の仕様
| 製品属性 |  |
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|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | STW5NK100Z | STW57N65M5-4 | STW63N65DM2 | STW65N65DM2AG |
| メーカー | STMicroelectronics | STMicroelectronics | STMicroelectronics | STMicroelectronics |
| パッケージ | Tube | Tube | Tube | Tube |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 3.5A (Tc) | 42A (Tc) | 60A (Tc) | 60A (Tc) |
| Vgs（最大） | ±30V | ±25V | ±25V | ±25V |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 1000 V | 650 V | 650 V | 650 V |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 3.7Ohm @ 1.75A, 10V | 63mOhm @ 21A, 10V | 50mOhm @ 30A, 10V | 50mOhm @ 30A, 10V |
| 電力消費（最大） | 125W (Tc) | 250W (Tc) | 446W (Tc) | 446W (Tc) |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 4.5V @ 100µA | 5V @ 250µA | 5V @ 250µA | 5V @ 250µA |
| パッケージ/ケース | TO-247-3 | TO-247-4 | TO-247-3 | TO-247-3 |
| FETタイプ | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| 基本製品番号 | STW5NK100 | STW57 | STW63 | STW65 |
| シリーズ | SuperMESH3™ | MDmesh™ V | MDmesh™ | Automotive, AEC-Q101, MDmesh™ DM2 |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 59 nC @ 10 V | 98 nC @ 10 V | 120 nC @ 10 V | 120 nC @ 10 V |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V | 10V | 10V | 10V |
| 装着タイプ | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
| FET特長 | - | - | - | - |
| サプライヤデバイスパッケージ | TO-247-3 | TO-247-4L | TO-247-3 | TO-247-3 |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 1154 pF @ 25 V | 4200 pF @ 100 V | 5500 pF @ 100 V | 5500 pF @ 100 V |
STW5NK100Z - STMicroelectronicsのSTW5NK100Z PDFデータテーブルとSTMicroelectronicsドキュメントをダウンロード
STW57N65M5-4STMicroelectronicsMOSFET N-CH 650V 42A TO247-4LSTW63N65DM2STMicroelectronicsMOSFET N-CH 650V 65A TO247STW65N65DM2AGSTMicroelectronicsMOSFET N-CH 650V 60A TO247STW58N60DM2AGSTMicroelectronicsMOSFET N-CH 600V 50A TO247STW60N65M5STMicroelectronicsMOSFET N-CH 650V 46A TO247
STW65N60DM6STMicroelectronicsMOSFET N-CH 600V 38A TO247STW58N65DM2AGSTMicroelectronicsMOSFET N-CH 650V 48A TO247STW57N65M5STMicroelectronicsMOSFET N-CH 650V 42A TO247
STW5NA80STMicroelectronicsSTW60N10STMicroelectronicsSTW5NA90STMicroelectronicsSTW60NE10STMicroelectronicsMOSFET N-CH 100V 60A TO247-3STW5NB90STMicroelectronicsSTW57N65M5 MOSSTMicroelectronicsSTW62NM60NSTMicroelectronicsMOSFET N-CH 600V 65A TO247STW58N60DM2STMicroelectronicsSTW5NB100STMicroelectronicsSTW62N65M5STMicroelectronicsMOSFET N-CH 650V 46A TO247| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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