STW40N20の技術仕様
STMicroelectronics - STW40N20技術仕様、属性、パラメーター、およびSTMicroelectronics - STW40N20仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | STMicroelectronics | |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 4V @ 250µA | |
| Vgs（最大） | ±20V | |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| サプライヤデバイスパッケージ | TO-247-3 | |
| シリーズ | STripFET™ | |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 45mOhm @ 20A, 10V | |
| 電力消費（最大） | 160W (Tc) | |
| パッケージ/ケース | TO-247-3 | |
| パッケージ | Tube |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| 装着タイプ | Through Hole | |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 2500 pF @ 25 V | |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 75 nC @ 10 V | |
| FETタイプ | N-Channel | |
| FET特長 | - | |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V | |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 200 V | |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 40A (Tc) | |
| 基本製品番号 | STW40N |
| 属性 | 説明 |
|---|---|
| RoHS ステータス | |
| 湿度感度レベル（MSL） | 1 (Unlimited) |
| 州に到達します | REACH Unaffected |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS |
右側の三つのパーツはSTMicroelectronics STW40N20と同様の仕様
| 製品属性 |  |
|
|
|
|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | STW40N20 | STW36NM60ND | STW40N95K5 | STW3N150 |
| メーカー | STMicroelectronics | STMicroelectronics | STMicroelectronics | STMicroelectronics |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 4V @ 250µA | 5V @ 250µA | 5V @ 100µA | 5V @ 250µA |
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | 150°C (TJ) |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V | 10V | 10V | 10V |
| FETタイプ | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 40A (Tc) | 29A (Tc) | 38A (Tc) | 2.5A (Tc) |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 45mOhm @ 20A, 10V | 110mOhm @ 14.5A, 10V | 130mOhm @ 19A, 10V | 9Ohm @ 1.3A, 10V |
| サプライヤデバイスパッケージ | TO-247-3 | TO-247-3 | TO-247-3 | TO-247-3 |
| 基本製品番号 | STW40N | STW36 | STW40 | STW3N150 |
| パッケージ | Tube | Tube | Tube | Tube |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 200 V | 600 V | 950 V | 1500 V |
| FET特長 | - | - | - | - |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| シリーズ | STripFET™ | Automotive, AEC-Q101, FDmesh™ II | MDmesh™ K5 | PowerMESH™ |
| 装着タイプ | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
| Vgs（最大） | ±20V | ±25V | ±30V | ±30V |
| パッケージ/ケース | TO-247-3 | TO-247-3 | TO-247-3 | TO-247-3 |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 2500 pF @ 25 V | 2785 pF @ 50 V | 3300 pF @ 100 V | 939 pF @ 25 V |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 75 nC @ 10 V | 80.4 nC @ 10 V | 93 nC @ 10 V | 29.3 nC @ 10 V |
| 電力消費（最大） | 160W (Tc) | 190W (Tc) | 450W (Tc) | 140W (Tc) |
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STW38N65M5 MOSSTMicroelectronicsSTW4000BAHTSTMicroelectronicsSTW36NM60NDSTMicroelectronicsMOSFET N-CH 600V 29A TO247STW40N95K5STMicroelectronicsMOSFET N-CH 950V 38A TO247STW3N150STMicroelectronicsMOSFET N-CH 1500V 2.5A TO247-3STW40N20 CMH82N25 MOSSTMicroelectronicsSTW3N170STMicroelectronicsMOSFET N-CH 1700V 2.6A TO247-3STW40N60M2STMicroelectronicsMOSFET N-CH 600V 34A TO247STW38NB20STMicroelectronicsMOSFET N-CH 200V 38A TO247-3STW40N60M2 MOSSTMicroelectronicsSTW40N90K5STMicroelectronicsMOSFET N-CH 900V 40A TO247STW40N95K5 MOSSTMicroelectronicsSTW40N60M2 40N60M2STMicroelectronicsSTW38N65M5STMicroelectronicsMOSFET N-CH 650V 30A TO247STW40N95DK5STMicroelectronicsMOSFET N-CHANNEL 950V 38A TO247STW3N170 3N170STMicroelectronicsSTW40N65M2STMicroelectronicsMOSFET N-CH 650V 32A TO247STW37N60DM2AGSTMicroelectronicsMOSFET N-CH 600V 28A TO247| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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