STW30NM50Nの技術仕様
STMicroelectronics - STW30NM50N技術仕様、属性、パラメーター、およびSTMicroelectronics - STW30NM50N仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | STMicroelectronics | |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 4V @ 250µA | |
| Vgs（最大） | ±25V | |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| サプライヤデバイスパッケージ | TO-247-3 | |
| シリーズ | MDmesh™ II | |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 115mOhm @ 13.5A, 10V | |
| 電力消費（最大） | 190W (Tc) | |
| パッケージ/ケース | TO-247-3 | |
| パッケージ | Tube |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| 運転温度 | 150°C (TJ) | |
| 装着タイプ | Through Hole | |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 2740 pF @ 50 V | |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 94 nC @ 10 V | |
| FETタイプ | N-Channel | |
| FET特長 | - | |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V | |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 500 V | |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 27A (Tc) | |
| 基本製品番号 | STW30N |
| 属性 | 説明 |
|---|---|
| RoHS ステータス | |
| 湿度感度レベル（MSL） | 1 (Unlimited) |
| 州に到達します | REACH Unaffected |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS |
右側の三つのパーツはSTMicroelectronics STW30NM50Nと同様の仕様
| 製品属性 |  |
 |
|
|
|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | STW30NM50N | STW30NF20 | STW28NM50N | STW33N60DM2 |
| メーカー | STMicroelectronics | STMicroelectronics | STMicroelectronics | STMicroelectronics |
| FETタイプ | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V | 10V | 10V | 10V |
| Vgs（最大） | ±25V | ±20V | ±25V | ±25V |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 94 nC @ 10 V | 38 nC @ 10 V | 50 nC @ 10 V | 43 nC @ 10 V |
| 電力消費（最大） | 190W (Tc) | 125W (Tc) | 150W (Tc) | 190W (Tc) |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 4V @ 250µA | 4V @ 250µA | 4V @ 250µA | 5V @ 250µA |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 500 V | 200 V | 500 V | 600 V |
| パッケージ/ケース | TO-247-3 | TO-247-3 | TO-247-3 | TO-247-3 |
| 装着タイプ | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
| シリーズ | MDmesh™ II | STripFET™ | MDmesh™ II | MDmesh™ DM2 |
| サプライヤデバイスパッケージ | TO-247-3 | TO-247-3 | TO-247-3 | TO-247-3 |
| 基本製品番号 | STW30N | STW30N | STW28 | STW33 |
| 運転温度 | 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| FET特長 | - | - | - | - |
| パッケージ | Tube | Tube | Tube | Tube |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 115mOhm @ 13.5A, 10V | 75mOhm @ 15A, 10V | 158mOhm @ 10.5A, 10V | 130mOhm @ 12A, 10V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 27A (Tc) | 30A (Tc) | 21A (Tc) | 24A (Tc) |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 2740 pF @ 50 V | 1597 pF @ 25 V | 1735 pF @ 25 V | 1870 pF @ 100 V |
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STW28NM50N MOSSTMicroelectronicsSTW30NF20STMicroelectronicsMOSFET N-CH 200V 30A TO247-3STW33N20STMicroelectronicsSTW28NM50NSTMicroelectronicsMOSFET N-CH 500V 21A TO247-3STW33N60DM2STMicroelectronicsMOSFET N-CH 600V 24A TO247STW29NK50ZDSTMicroelectronicsMOSFET N-CH 500V 29A TO247-3STW30NM60NSTMicroelectronicsMOSFET N-CH 600V 25A TO247-3STW30N80K5STMicroelectronicsSTW33N60M2STMicroelectronicsMOSFET N-CH 600V 26A TO247STW28NM60NDSTMicroelectronicsMOSFET N-CH 600V 23A TO247STW32N65M5STMicroelectronicsMOSFET N-CH 650V 24A TO247-3STW32NM50NSTMicroelectronicsMOSFET N CH 500V 22A TO-247STW29NK50ZSTMicroelectronicsMOSFET N-CH 500V 31A TO247-3STW31N65M5STMicroelectronicsMOSFET N-CH 650V 22A TO247STW30N65M5STMicroelectronicsMOSFET N-CH 650V 22A TO247-3STW30NM60NDSTMicroelectronicsMOSFET N-CH 600V 25A TO247-3STW2N105K5STMSTW33N60M2 33N60M2STMicroelectronics| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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