STW12N120K5の技術仕様
STMicroelectronics - STW12N120K5技術仕様、属性、パラメーター、およびSTMicroelectronics - STW12N120K5仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | STMicroelectronics | |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 5V @ 100µA | |
| Vgs（最大） | ±30V | |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| サプライヤデバイスパッケージ | TO-247-3 | |
| シリーズ | MDmesh™ K5 | |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 690mOhm @ 6A, 10V | |
| 電力消費（最大） | 250W (Tc) | |
| パッケージ/ケース | TO-247-3 | |
| パッケージ | Tube |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| 装着タイプ | Through Hole | |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 1370 pF @ 100 V | |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 44.2 nC @ 10 V | |
| FETタイプ | N-Channel | |
| FET特長 | - | |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V | |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 1200 V | |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 12A (Tc) | |
| 基本製品番号 | STW12 |
右側の三つのパーツはSTMicroelectronics STW12N120K5と同様の仕様
| 製品属性 |  |
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|
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|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | STW12N120K5 | STW12NK95Z | STW11NB80 | STW12NK60Z |
| メーカー | STMicroelectronics | STMicroelectronics | STMicroelectronics | STMicroelectronics |
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | 150°C (TJ) | 150°C (TJ) |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 1370 pF @ 100 V | 3500 pF @ 25 V | 2900 pF @ 25 V | 1740 pF @ 25 V |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| パッケージ | Tube | Tube | Tube | Tube |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 690mOhm @ 6A, 10V | 900mOhm @ 5A, 10V | 800mOhm @ 5.5A, 10V | 640mOhm @ 5A, 10V |
| パッケージ/ケース | TO-247-3 | TO-247-3 | TO-247-3 | TO-247-3 |
| FETタイプ | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
| シリーズ | MDmesh™ K5 | SuperMESH™ | PowerMESH™ | SuperMESH™ |
| Vgs（最大） | ±30V | ±30V | ±30V | ±30V |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V | 10V | 10V | 10V |
| FET特長 | - | - | - | - |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 1200 V | 950 V | 800 V | 600 V |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 5V @ 100µA | 4.5V @ 100µA | 5V @ 250µA | 4.5V @ 100µA |
| サプライヤデバイスパッケージ | TO-247-3 | TO-247-3 | TO-247-3 | TO-247-3 |
| 基本製品番号 | STW12 | STW12N | STW11N | STW12N |
| 電力消費（最大） | 250W (Tc) | 230W (Tc) | 190W (Tc) | 150W (Tc) |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 12A (Tc) | 10A (Tc) | 11A (Tc) | 10A (Tc) |
| 装着タイプ | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 44.2 nC @ 10 V | 113 nC @ 10 V | 70 nC @ 10 V | 59 nC @ 10 V |
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STW12NK95ZSTMicroelectronicsMOSFET N-CH 950V 10A TO247-3STW11NB80STMicroelectronicsMOSFET N-CH 800V 11A TO247-3STW12NK60ZSTMicroelectronicsMOSFET N-CH 600V 10A TO247-3
STW12NB60STMicroelectronicsSTW12NA50STMicroelectronicsSTW11NK100Z MOSSTMicroelectronicsSTW11NM80 MOSSTMicroelectronicsSTW11NK90ZSTMicroelectronicsMOSFET N-CH 900V 9.2A TO247-3STW12NK80ZSTMicroelectronicsMOSFET N-CH 800V 10.5A TO247-3STW11NM80STMicroelectronicsMOSFET N-CH 800V 11A TO247-3STW11NK90Z MOSSTMicroelectronicsSTW12N150K5STMicroelectronicsMOSFET N-CH 1500V 7A TO247STW12NC60STMicroelectronicsSTW120NF10 MOSSTMicroelectronicsSTW120NF10STMicroelectronicsMOSFET N-CH 100V 110A TO247-3STW12NK90ZSTMicroelectronicsMOSFET N-CH 900V 11A TO247-3STW12NK90Z MOSSTMicroelectronicsSTW11NK100ZSTMicroelectronicsMOSFET N-CH 1000V 8.3A TO247-3| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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