STU10N60M2の技術仕様
STMicroelectronics - STU10N60M2技術仕様、属性、パラメーター、およびSTMicroelectronics - STU10N60M2仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | STMicroelectronics | |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 4V @ 250µA | |
| Vgs（最大） | ±25V | |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| サプライヤデバイスパッケージ | TO-251 (IPAK) | |
| シリーズ | MDmesh™ II Plus | |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 600mOhm @ 3A, 10V | |
| 電力消費（最大） | 85W (Tc) | |
| パッケージ/ケース | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA | |
| パッケージ | Tube |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| 装着タイプ | Through Hole | |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 400 pF @ 100 V | |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 13.5 nC @ 10 V | |
| FETタイプ | N-Channel | |
| FET特長 | - | |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V | |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 600 V | |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 7.5A (Tc) | |
| 基本製品番号 | STU10N |
| 属性 | 説明 |
|---|---|
| RoHS ステータス | |
| 湿度感度レベル（MSL） | 1 (Unlimited) |
| 州に到達します | REACH Unaffected |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS |
右側の三つのパーツはSTMicroelectronics STU10N60M2と同様の仕様
| 製品属性 |  |
|
|
|
|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | STU10N60M2 | STU10NM65N | STU13N65M2 | STU12N65M5 |
| メーカー | STMicroelectronics | STMicroelectronics | STMicroelectronics | STMicroelectronics |
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 150°C (TJ) | 150°C (TJ) | 150°C (TJ) |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 600 V | 650 V | 650 V | 650 V |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 400 pF @ 100 V | 850 pF @ 50 V | 590 pF @ 100 V | 900 pF @ 100 V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 7.5A (Tc) | 9A (Tc) | 10A (Tc) | 8.5A (Tc) |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 13.5 nC @ 10 V | 25 nC @ 10 V | 17 nC @ 10 V | 22 nC @ 10 V |
| シリーズ | MDmesh™ II Plus | MDmesh™ II | MDmesh™ M2 | MDmesh™ V |
| パッケージ/ケース | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
| FETタイプ | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 4V @ 250µA | 4V @ 250µA | 4V @ 250µA | 5V @ 250µA |
| 電力消費（最大） | 85W (Tc) | 90W (Tc) | 110W (Tc) | 70W (Tc) |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V | 10V | 10V | 10V |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| 基本製品番号 | STU10N | STU10N | STU13N | STU12N |
| パッケージ | Tube | Tube | Tube | Tube |
| FET特長 | - | - | - | - |
| サプライヤデバイスパッケージ | TO-251 (IPAK) | I-PAK | TO-251 (IPAK) | TO-251 (IPAK) |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 600mOhm @ 3A, 10V | 480mOhm @ 4.5A, 10V | 430mOhm @ 5A, 10V | 430mOhm @ 4.3A, 10V |
| Vgs（最大） | ±25V | ±25V | ±25V | ±25V |
| 装着タイプ | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
STU10N60M2 - STMicroelectronicsのSTU10N60M2 PDFデータテーブルとSTMicroelectronicsドキュメントをダウンロード
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STU13005NSTMicroelectronicsTRANS NPN 400V 3A TO251STU11N65M2STMicroelectronicsMOSFET N-CH 650V 7A IPAK| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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