STT5PF20Vの技術仕様
STMicroelectronics - STT5PF20V技術仕様、属性、パラメーター、およびSTMicroelectronics - STT5PF20V仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | STMicroelectronics | |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 450mV @ 250µA (Min) | |
| Vgs（最大） | ±8V | |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| サプライヤデバイスパッケージ | SOT-23-6 | |
| シリーズ | STripFET™ II | |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 80mOhm @ 2.5A, 4.5V | |
| 電力消費（最大） | 1.6W (Tc) | |
| パッケージ/ケース | SOT-23-6 | |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| 運転温度 | 150°C (TJ) | |
| 装着タイプ | Surface Mount | |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 412 pF @ 15 V | |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 4.5 nC @ 2.5 V | |
| FETタイプ | P-Channel | |
| FET特長 | - | |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 2.5V, 4.5V | |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 20 V | |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 5A (Tc) | |
| 基本製品番号 | STT5P |
| 属性 | 説明 |
|---|---|
| RoHS ステータス | |
| 湿度感度レベル（MSL） | 1 (Unlimited) |
| 州に到達します | REACH Unaffected |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS |
右側の三つのパーツはSTMicroelectronics STT5PF20Vと同様の仕様
| 製品属性 |  |
|
|
|
|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | STT5PF20V | STT6N3LLH6 | STT5N2VH5 | STT4P3LLH6 |
| メーカー | STMicroelectronics | STMicroelectronics | STMicroelectronics | STMicroelectronics |
| サプライヤデバイスパッケージ | SOT-23-6 | SOT-23-6 | SOT-23-6 | SOT-23-6 |
| 基本製品番号 | STT5P | STT6N3 | STT5N2 | STT4P3 |
| FETタイプ | P-Channel | N-Channel | N-Channel | P-Channel |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 5A (Tc) | 6A (Tc) | 5A (Tj) | 4A (Ta) |
| Vgs（最大） | ±8V | ±20V | ±8V | ±20V |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
| 電力消費（最大） | 1.6W (Tc) | 1.6W (Tc) | 1.6W (Tc) | 1.6W (Ta) |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 4.5 nC @ 2.5 V | 3.6 nC @ 4.5 V | 4.6 nC @ 4.5 V | 6 nC @ 4.5 V |
| パッケージ/ケース | SOT-23-6 | SOT-23-6 | SOT-23-6 | SOT-23-6 |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 412 pF @ 15 V | 283 pF @ 24 V | 367 pF @ 16 V | 639 pF @ 25 V |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 20 V | 30 V | 20 V | 30 V |
| 装着タイプ | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| 運転温度 | 150°C (TJ) | 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | 150°C (TJ) |
| シリーズ | STripFET™ II | DeepGATE™, STripFET™ VI | STripFET™ V | DeepGATE™, STripFET™ H6 |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 80mOhm @ 2.5A, 4.5V | 25mOhm @ 3A, 10V | 30mOhm @ 2A, 4.5V | 56mOhm @ 2A, 10V |
| FET特長 | - | - | - | - |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 450mV @ 250µA (Min) | 1V @ 250µA | 700mV @ 250µA (Min) | 2.5V @ 250µA |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 2.5V, 4.5V | 4.5V, 10V | 2.5V, 4.5V | 4.5V, 10V |
STT5PF20V - STMicroelectronicsのSTT5PF20V PDFデータテーブルとSTMicroelectronicsドキュメントをダウンロード
STT6601SeCoSSTT6N3LLH6STMicroelectronicsMOSFET N-CH 30V 6A SOT23-6STT5PF20USTMSTT500GK16PTSIRECTIFIERIGBT Module
STT5N2VH5 MOSSTMicroelectronicsSTT6603SAMHOPSTT5NF20VSTMicroelectronicsSTT5N2VH5STMicroelectronicsMOSFET N-CH 20V SOT23-6STT4P3LLH6STMicroelectronicsMOSFET P-CH 30V 4A SOT23-6STT60GK14SIRECTIFIERIGBT ModuleSTT4PF20VSTMicroelectronicsMOSFET P-CH 20V 3A SOT-23-6STT4NF30LSTMicroelectronicsSTT5NF30LSTMicroelectronicsSTT70GK14SIRECTIFIERIGBT ModuleSTT600SAMHOPSTT60GK16BVN/AIGBT ModuleSTT60GK14BSIRECTIIGBT ModuleSTT60GK120BSIRECTIFIERIGBT Module| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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