STS9D8NH3LLの技術仕様
STMicroelectronics - STS9D8NH3LL技術仕様、属性、パラメーター、およびSTMicroelectronics - STS9D8NH3LL仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | STMicroelectronics | |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 1V @ 250µA | |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| サプライヤデバイスパッケージ | 8-SOIC | |
| シリーズ | STripFET™ | |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 22mOhm @ 4A, 10V | |
| 電力 - 最大 | 2W | |
| パッケージ/ケース | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| 運転温度 | 150°C (TJ) | |
| 装着タイプ | Surface Mount | |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 857pF @ 25V | |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 10nC @ 4.5V | |
| FET特長 | Logic Level Gate | |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 30V | |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 8A, 9A | |
| コンフィギュレーション | 2 N-Channel (Dual) | |
| 基本製品番号 | STS9D8 |
右側の三つのパーツはSTMicroelectronics STS9D8NH3LLと同様の仕様
| 製品属性 |  |
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|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | STS9D8NH3LL | STS8DN6LF6AG | STS8DNF3LL | STS8DNH3LL |
| メーカー | STMicroelectronics | STMicroelectronics | STMicroelectronics | STMicroelectronics |
| 基本製品番号 | STS9D8 | STS8DN6 | STS8DNF3 | STS8DN |
| パッケージ/ケース | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| FET特長 | Logic Level Gate | Logic Level Gate | Logic Level Gate | Logic Level Gate |
| 運転温度 | 150°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | 150°C (TJ) | 150°C (TJ) |
| コンフィギュレーション | 2 N-Channel (Dual) | 2 N-Channel (Dual) | 2 N-Channel (Dual) | 2 N-Channel (Dual) |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 22mOhm @ 4A, 10V | 24mOhm @ 4A, 10V | 20mOhm @ 4A, 10V | 22mOhm @ 4A, 10V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 8A, 9A | 8A (Ta) | 8A | 8A |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
| 装着タイプ | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| シリーズ | STripFET™ | Automotive, AEC-Q101, STripFET™ F6 | STripFET™ II | STripFET™ III |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 30V | 60V | 30V | 30V |
| 電力 - 最大 | 2W | 3.2W | 1.6W | 2W |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 10nC @ 4.5V | 27nC @ 10V | 17nC @ 5V | 10nC @ 4.5V |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 857pF @ 25V | 1340pF @ 25V | 800pF @ 25V | 857pF @ 25V |
| サプライヤデバイスパッケージ | 8-SOIC | 8-SO | 8-SOIC | 8-SOIC |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 1V @ 250µA | 2.5V @ 250µA | 1V @ 250µA | 1V @ 250µA |
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STS9P3LLH6STMicroelectronicsMOSFET P-CH 30V 9A 8SO
STSAFA110DFSPL02STMicroelectronicsAUTHENTICATION & BRAND PROTECTIO
STS9D8NH3LL MOSSTMicroelectronicsSTS9NH3LLSTMicroelectronicsMOSFET N-CH 30V 9A 8SOSTS9P2UH7STMicroelectronicsMOSFET P-CH 20V 9A 8SOSTS9NF3LLSTMicroelectronicsMOSFET N-CH 30V 9A 8SO
STS9013HST/AUKSTS8N6LF6AGSTMicroelectronicsMOSFET N-CHANNEL 60V 8A 8SOSTS9NF30LSTMicroelectronicsMOSFET N-CH 30V 9A 8SOSTS8C6H3LLSTMicroelectronicsSTS8DN6LF6AGSTMicroelectronicsMOSFET 2 N-CHANNEL 60V 8A 8SOSTS8DNF3LLSTMicroelectronicsMOSFET 2N-CH 30V 8A 8-SOICSTS9NF30L/S9NF30LSTMicroelectronicsSTS9014CAUKSTS9D8H3LLSTMicroelectronicsSTS8DNH3LLSTMicroelectronicsMOSFET 2N-CH 30V 8A 8-SOICSTS9313ALSISTS8DN3LLH5STMicroelectronicsMOSFET 2N-CH 30V 10A 8SO| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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