STS4DNF60Lの技術仕様
STMicroelectronics - STS4DNF60L技術仕様、属性、パラメーター、およびSTMicroelectronics - STS4DNF60L仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | STMicroelectronics | |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 2.5V @ 250µA | |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| サプライヤデバイスパッケージ | 8-SOIC | |
| シリーズ | STripFET™ | |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 55mOhm @ 2A, 10V | |
| 電力 - 最大 | 2W | |
| パッケージ/ケース | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| 装着タイプ | Surface Mount | |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 1030pF @ 25V | |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 15nC @ 4.5V | |
| FET特長 | Logic Level Gate | |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 60V | |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 4A | |
| コンフィギュレーション | 2 N-Channel (Dual) | |
| 基本製品番号 | STS4DNF60 |
右側の三つのパーツはSTMicroelectronics STS4DNF60Lと同様の仕様
| 製品属性 |  |
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|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | STS4DNF60L | STS4DPF30L | STS4C3F60L | STS4DNF30L |
| メーカー | STMicroelectronics | STMicroelectronics | STMicroelectronics | STMicroelectronics |
| コンフィギュレーション | 2 N-Channel (Dual) | 2 P-Channel (Dual) | N and P-Channel | 2 N-Channel (Dual) |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 55mOhm @ 2A, 10V | 80mOhm @ 2A, 10V | 55mOhm @ 2A, 10V | 50mOhm @ 2A, 10V |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
| 装着タイプ | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 4A | 4A | 4A, 3A | 4A |
| 電力 - 最大 | 2W | 2W | 2W | 2W |
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 2.5V @ 250µA | 1V @ 250µA | 1V @ 250µA | 1V @ 250µA |
| サプライヤデバイスパッケージ | 8-SOIC | 8-SOIC | 8-SOIC | 8-SOIC |
| シリーズ | STripFET™ | STripFET™ | STripFET™ | STripFET™ |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 60V | 30V | 60V | 30V |
| 基本製品番号 | STS4DNF60 | STS4D | STS4C | STS4D |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 1030pF @ 25V | 1350pF @ 25V | 1030pF @ 25V | 330pF @ 25V |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| パッケージ/ケース | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| FET特長 | Logic Level Gate | - | Logic Level Gate | Logic Level Gate |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 15nC @ 4.5V | 16nC @ 5V | 20.4nC @ 4.5V | 9nC @ 10V |
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STS4DNFS30LSTMicroelectronicsMOSFET N-CH 30V 4A 8SOSTS4DNFS30STMicroelectronicsMOSFET N-CH 30V 4.5A 8SOSTS4DPFS30LSTMicroelectronicsMOSFET P-CH 30V 5A 8SOSTS4DPF30LSTMicroelectronicsMOSFET 2P-CH 30V 4A 8-SOIC
STS40L45CWSTMicroelectronicsSTS4C3F60LSTMicroelectronicsMOSFET N/P-CH 60V 4A/3A 8SOIC
STS4622SAMHOPSTS4DNF-S30LSTMicroelectronicsSTS4PF20VSTMicroelectronicsSTS4NF100STMicroelectronicsMOSFET N-CH 100V 4A 8SOSTS4DNF30LSTMicroelectronicsMOSFET 2N-CH 30V 4A 8SOIC
STS462TCypress Semiconductor (Infineon Technologies)STS4C3F30LVBSEMISTS4DNF60L MOSSTMicroelectronicsSTS4DPF20LSTMicroelectronicsMOSFET 2P-CH 20V 4A 8SOICSTS4501SAMHOPSTS4DNF60STMicroelectronicsMOSFET 2N-CH 60V 4A 8SOICSTS4DPF20L MOSSTMicroelectronics| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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