STS10P3LLH6の技術仕様
STMicroelectronics - STS10P3LLH6技術仕様、属性、パラメーター、およびSTMicroelectronics - STS10P3LLH6仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | STMicroelectronics | |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 1V @ 250µA (Min) | |
| Vgs（最大） | ±20V | |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| サプライヤデバイスパッケージ | 8-SOIC | |
| シリーズ | STripFET™ H6 | |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 12mOhm @ 5A, 10V | |
| 電力消費（最大） | 2.7W (Ta) | |
| パッケージ/ケース | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| 装着タイプ | Surface Mount | |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 3350 pF @ 25 V | |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 33 nC @ 4.5 V | |
| FETタイプ | P-Channel | |
| FET特長 | - | |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 4.5V, 10V | |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 30 V | |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 10A (Ta) | |
| 基本製品番号 | STS10 |
右側の三つのパーツはSTMicroelectronics STS10P3LLH6と同様の仕様
| 製品属性 |  |
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|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | STS10P3LLH6 | STS13N3LLH5 | STS12NH3LL | STS10N3LH5 |
| メーカー | STMicroelectronics | STMicroelectronics | STMicroelectronics | STMicroelectronics |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 3350 pF @ 25 V | 1500 pF @ 25 V | 965 pF @ 25 V | 475 pF @ 25 V |
| サプライヤデバイスパッケージ | 8-SOIC | 8-SOIC | 8-SOIC | 8-SOIC |
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 33 nC @ 4.5 V | 12 nC @ 4.5 V | 12 nC @ 4.5 V | 4.6 nC @ 5 V |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 12mOhm @ 5A, 10V | 6.6mOhm @ 6.5A, 10V | 10.5mOhm @ 6A, 10V | 21mOhm @ 5A, 10V |
| FETタイプ | P-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| 電力消費（最大） | 2.7W (Ta) | 2.7W (Tc) | 2.7W (Tc) | 2.5W (Tc) |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 30 V | 30 V | 30 V | 30 V |
| パッケージ/ケース | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| シリーズ | STripFET™ H6 | STripFET™ V | STripFET™ | STripFET™ V |
| 装着タイプ | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 4.5V, 10V | 4.5V, 10V | 4.5V, 10V | 4.5V, 10V |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 1V @ 250µA (Min) | 1V @ 250µA | 1V @ 250µA | 1V @ 250µA |
| FET特長 | - | - | - | - |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 10A (Ta) | 13A (Tc) | 12A (Tc) | 10A (Tc) |
| Vgs（最大） | ±20V | +22V, -20V | ±16V | ±22V |
| 基本製品番号 | STS10 | STS13 | STS12 | STS10 |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
STS10P3LLH6 - STMicroelectronicsのSTS10P3LLH6 PDFデータテーブルとSTMicroelectronicsドキュメントをダウンロード
STS13N3LLH5STMicroelectronicsMOSFET N-CH 30V 13A 8SOSTS12NH3LLSTMicroelectronicsMOSFET N-CH 30V 12A 8SOSTS10N3LH5STMicroelectronicsMOSFET N-CH 30V 10A 8SOSTS11N3LLH5STMicroelectronicsMOSFET N-CH 30V 11A 8SO
STS104BSELMACSTS05DTP03STMicroelectronicsTRANS NPN/PNP 30V 5A 8SOSTS12NF30LSTMicroelectronicsMOSFET N-CH 30V 12A 8SOSTS10NF30LVBSEMISTS11NF30LSTMicroelectronicsMOSFET N-CH 30V 11A 8SOSTS126SAMHOPSTS10P4LLF6STMicroelectronicsMOSFET P-CH 40V 10A 8SOSTS10PF30LSTMicroelectronicsMOSFET P-CH 30V 10A 8SOSTS10DN3LH5STMicroelectronicsMOSFET 2N-CH 30V 10A 8-SOIC
STS10N3LH5 MOSSTMicroelectronicsSTS12N3LLH5STMicroelectronicsMOSFET N-CH 30V 12A 8SO
STS-31-DISSensirion AGSENSOR DIGITAL 0C-90C 8TDFNSTS01DTP06STMicroelectronicsTRANS NPN/PNP 30V 3A 8SOSTS11NF3LLSTMicroelectronics| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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