STQ1NK60ZR-APの技術仕様
STMicroelectronics - STQ1NK60ZR-AP技術仕様、属性、パラメーター、およびSTMicroelectronics - STQ1NK60ZR-AP仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | STMicroelectronics | |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 4.5V @ 50µA | |
| Vgs（最大） | ±30V | |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| サプライヤデバイスパッケージ | TO-92-3 | |
| シリーズ | SuperMESH™ | |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 15Ohm @ 400mA, 10V | |
| 電力消費（最大） | 3W (Tc) | |
| パッケージ/ケース | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) | |
| パッケージ | Cut Tape (CT) |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| 装着タイプ | Through Hole | |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 94 pF @ 25 V | |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 6.9 nC @ 10 V | |
| FETタイプ | N-Channel | |
| FET特長 | - | |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V | |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 600 V | |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 300mA (Tc) | |
| 基本製品番号 | STQ1NK60 |
| 属性 | 説明 |
|---|---|
| RoHS ステータス | |
| 湿度感度レベル（MSL） | 1 (Unlimited) |
| 州に到達します | REACH Unaffected |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS |
右側の三つのパーツはSTMicroelectronics STQ1NK60ZR-APと同様の仕様
| 製品属性 |  |
|
|
|
|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | STQ1NK60ZR-AP | STQ2HNK60ZR-AP | STQ1HNK60R-AP | STQ1NK80ZR-AP |
| メーカー | STMicroelectronics | STMicroelectronics | STMicroelectronics | STMicroelectronics |
| FET特長 | - | - | - | - |
| Vgs（最大） | ±30V | ±30V | ±30V | ±30V |
| シリーズ | SuperMESH™ | SuperMESH™ | SuperMESH™ | SuperMESH™ |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| 電力消費（最大） | 3W (Tc) | 3W (Tc) | 3W (Tc) | 3W (Tc) |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 94 pF @ 25 V | 280 pF @ 25 V | 156 pF @ 25 V | 160 pF @ 25 V |
| サプライヤデバイスパッケージ | TO-92-3 | TO-92-3 | TO-92-3 | TO-92-3 |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V | 10V | 10V | 10V |
| 装着タイプ | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
| パッケージ | Cut Tape (CT) | Cut Tape (CT) | Cut Tape (CT) | Cut Tape (CT) |
| 基本製品番号 | STQ1NK60 | STQ2HNK60 | STQ1HNK60 | STQ1NK80 |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 600 V | 600 V | 600 V | 800 V |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 4.5V @ 50µA | 4.5V @ 50µA | 3.7V @ 250µA | 4.5V @ 50µA |
| FETタイプ | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
| パッケージ/ケース | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 6.9 nC @ 10 V | 15 nC @ 10 V | 10 nC @ 10 V | 7.7 nC @ 10 V |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 15Ohm @ 400mA, 10V | 4.8Ohm @ 1A, 10V | 8.5Ohm @ 500mA, 10V | 16Ohm @ 500mA, 10V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 300mA (Tc) | 500mA (Tc) | 400mA (Tc) | 300mA (Tc) |
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
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STQ2016ZRFMDSTQ1NC45R-APSTMicroelectronicsMOSFET N-CH 450V 500MA TO92-3STQ1NK60ZSTMicroelectronics| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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