STPSC10065Dの技術仕様
STMicroelectronics - STPSC10065D技術仕様、属性、パラメーター、およびSTMicroelectronics - STPSC10065D仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | STMicroelectronics | |
| 電圧 - フォワード（VF）（最大）の場合@ | 1.45 V @ 10 A | |
| 電圧 - 逆（VR）（最大） | 650 V | |
| 技術 | SiC (Silicon Carbide) Schottky | |
| サプライヤデバイスパッケージ | TO-220AC | |
| 速度 | No Recovery Time > 500mA (Io) | |
| シリーズ | ECOPACK®2 | |
| 逆回復時間（trrの） | 0 ns |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| パッケージ/ケース | TO-220-2 | |
| パッケージ | Tube | |
| 動作温度 - ジャンクション | -40°C ~ 175°C | |
| 装着タイプ | Through Hole | |
| 電流 - 漏れ@ Vrとリバース | 130 µA @ 650 V | |
| 電流 - 平均整流（イオ） | 10A | |
| Vrと、F @キャパシタンス | 670pF @ 0V, 1MHz | |
| 基本製品番号 | STPSC10065 |
| 属性 | 説明 |
|---|---|
| RoHS ステータス | |
| 湿度感度レベル（MSL） | 1 (Unlimited) |
| 州に到達します | REACH Unaffected |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS |
右側の三つのパーツはSTMicroelectronics STPSC10065Dと同様の仕様
| 製品属性 |  |
 |
|
 |
|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | STPSC10065D | STPSC1006D | STPS8L30DEE-TR | STPSC10H065BY-TR |
| メーカー | STMicroelectronics | STMicroelectronics | STMicroelectronics | STMicroelectronics |
| パッケージ/ケース | TO-220-2 | TO-220-2 | 8-PowerTDFN | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| 速度 | No Recovery Time > 500mA (Io) | No Recovery Time > 500mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| 装着タイプ | Through Hole | Through Hole | Surface Mount | Surface Mount |
| 基本製品番号 | STPSC10065 | STPSC1006 | STPS8 | STPSC10 |
| 電圧 - 逆（VR）（最大） | 650 V | 600 V | 30 V | 650 V |
| パッケージ | Tube | Tube | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
| 動作温度 - ジャンクション | -40°C ~ 175°C | -40°C ~ 175°C | 150°C (Max) | -40°C ~ 175°C |
| 電流 - 漏れ@ Vrとリバース | 130 µA @ 650 V | 300 µA @ 600 V | 1 mA @ 30 V | 100 µA @ 650 V |
| 電流 - 平均整流（イオ） | 10A | 10A | 8A | 10A |
| 技術 | SiC (Silicon Carbide) Schottky | SiC (Silicon Carbide) Schottky | Schottky | SiC (Silicon Carbide) Schottky |
| シリーズ | ECOPACK®2 | - | - | Automotive, AEC-Q101 |
| サプライヤデバイスパッケージ | TO-220AC | TO-220AC | PowerFlat™ (3.3x3.3) | DPAK |
| 電圧 - フォワード（VF）（最大）の場合@ | 1.45 V @ 10 A | 1.75 V @ 10 A | 500 mV @ 8 A | - |
| 逆回復時間（trrの） | 0 ns | 0 ns | - | 0 ns |
| Vrと、F @キャパシタンス | 670pF @ 0V, 1MHz | 650pF @ 0V, 1MHz | - | 480pF @ 0V, 1MHz |
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STPSC1006DSTMicroelectronicsDIODE SIL CARB 600V 10A TO220ACSTPS8L30DEE-TRSTMicroelectronicsDIODE SCHOTTKY 30V 8A POWERFLATSTPSC10H065BY-TRSTMicroelectronicsDIODE SIL CARBIDE 650V 10A DPAK
STPS8H100GSTMicroelectronicsDIODE SCHOTTKY 100V 8A D2PAKSTPS8H100FPSTMicroelectronicsDIODE SCHOTTKY 100V 8A TO220FPACSTPSC10H065DSTMicroelectronicsDIODE SIL CARB 650V 10A TO220ACSTPSC10H065G-TRSTMicroelectronicsDIODE SIL CARBIDE 650V 10A D2PAKSTPS8L30B-TRSTMicroelectronicsDIODE SCHOTTKY 30V 8A DPAKSTPSC10H065B-TRSTMicroelectronicsDIODE SIL CARBIDE 650V 10A DPAKSTPSC10H065FPSTMicroelectronicsSTPS8L30BSTMicroelectronicsDIODE SCHOTTKY 30V 8A DPAKSTPS8H100G-TRSTMicroelectronicsDIODE SCHOTTKY 100V 8A D2PAKSTPSC1006G-TRSTMicroelectronicsDIODE SIL CARBIDE 600V 10A D2PAKSTPS8L130TRSTMicroelectronicsSTPS8H100LSTMicroelectronicsSTPS8L30DEESTMicroelectronicsSTPSC10H065DISTMicroelectronicsDIODE SIC 650V 10A TO220AC INS
STPSC10C065RYSTMicroelectronicsDIODE SIL CARBIDE 650V 10A I2PAK| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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