STP9NK50Zの技術仕様
STMicroelectronics - STP9NK50Z技術仕様、属性、パラメーター、およびSTMicroelectronics - STP9NK50Z仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | STMicroelectronics | |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 4.5V @ 100µA | |
| Vgs（最大） | ±30V | |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| サプライヤデバイスパッケージ | TO-220 | |
| シリーズ | SuperMESH™ | |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 850mOhm @ 3.6A, 10V | |
| 電力消費（最大） | 110W (Tc) | |
| パッケージ/ケース | TO-220-3 | |
| パッケージ | Tube |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| 装着タイプ | Through Hole | |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 910 pF @ 25 V | |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 32 nC @ 10 V | |
| FETタイプ | N-Channel | |
| FET特長 | - | |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V | |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 500 V | |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 7.2A (Tc) | |
| 基本製品番号 | STP9NK50 |
右側の三つのパーツはSTMicroelectronics STP9NK50Zと同様の仕様
| 製品属性 |  |
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|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | STP9NK50Z | STP9NK50ZFP | STP9N80K5 | STP9NK60Z |
| メーカー | STMicroelectronics | STMicroelectronics | STMicroelectronics | STMicroelectronics |
| 装着タイプ | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
| 基本製品番号 | STP9NK50 | STP9NK50 | STP9N80 | STP9NK60 |
| サプライヤデバイスパッケージ | TO-220 | TO-220FP | TO-220 | TO-220 |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 7.2A (Tc) | 7.2A (Tc) | 7A (Tc) | 7A (Tc) |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 850mOhm @ 3.6A, 10V | 850mOhm @ 3.6A, 10V | 900mOhm @ 3.5A, 10V | 950mOhm @ 3.5A, 10V |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 4.5V @ 100µA | 4.5V @ 100µA | 5V @ 100µA | 4.5V @ 100µA |
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 32 nC @ 10 V | 32 nC @ 10 V | 12 nC @ 10 V | 53 nC @ 10 V |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 910 pF @ 25 V | 910 pF @ 25 V | 340 pF @ 100 V | 1110 pF @ 25 V |
| パッケージ | Tube | Tube | Tube | Tube |
| FETタイプ | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| FET特長 | - | - | - | - |
| シリーズ | SuperMESH™ | SuperMESH™ | MDmesh™ K5 | SuperMESH™ |
| 電力消費（最大） | 110W (Tc) | 30W (Tc) | 110W (Tc) | 125W (Tc) |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V | 10V | 10V | 10V |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 500 V | 500 V | 800 V | 600 V |
| パッケージ/ケース | TO-220-3 | TO-220-3 Full Pack | TO-220-3 | TO-220-3 |
| Vgs（最大） | ±30V | ±30V | ±30V | ±30V |
STP9NK50Z - STMicroelectronicsのSTP9NK50Z PDFデータテーブルとSTMicroelectronicsドキュメントをダウンロード
STP9NK50ZFP MOSSTMicroelectronicsSTP9NK50ZFPSTMicroelectronicsMOSFET N-CH 500V 7.2A TO220FPSTP9NK50Z MOSSTMicroelectronicsSTP9N80K5STMicroelectronicsMOSFET N-CHANNEL 800V 7A TO220STP9NK50STMicroelectronicsSTP9NC60STMicroelectronics
STP9NB50FPVBSEMISTP9NC60FPSTMicroelectronicsSTP9NK60ZFP MOSSTMicroelectronicsSTP9NK60ZSTMicroelectronicsMOSFET N-CH 600V 7A TO220ABSTP9NC60 P9NC60STMicroelectronicsSTP9NC65FPSTMicroelectronicsSTP9NK60Z MOSSTMicroelectronicsSTP9NK60ZFPSTMicroelectronicsMOSFET N-CH 600V 7A TO220FPSTP9NB60STMicroelectronicsSTP9NB60FPSTMicroelectronicsSTP9NK60ZDSTMicroelectronicsMOSFET N-CH 600V 7A TO220ABSTP9NB50STMicroelectronics| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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