STP60NE06L-16の技術仕様
STMicroelectronics - STP60NE06L-16技術仕様、属性、パラメーター、およびSTMicroelectronics - STP60NE06L-16仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | STMicroelectronics | |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 2.5V @ 250µA | |
| Vgs（最大） | ±15V | |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| サプライヤデバイスパッケージ | TO-220 | |
| シリーズ | STripFET™ | |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 14mOhm @ 30A, 10V | |
| 電力消費（最大） | 150W (Tc) | |
| パッケージ/ケース | TO-220-3 | |
| パッケージ | Tube |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| 運転温度 | 175°C (TJ) | |
| 装着タイプ | Through Hole | |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 4150 pF @ 25 V | |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 70 nC @ 5 V | |
| FETタイプ | N-Channel | |
| FET特長 | - | |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 5V, 10V | |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 60 V | |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 60A (Tc) | |
| 基本製品番号 | STP60N |
右側の三つのパーツはSTMicroelectronics STP60NE06L-16と同様の仕様
| 製品属性 |  |
|
|
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|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | STP60NE06L-16 | STP60NE06-16 | STP60NF10 | STP60NF06L |
| メーカー | STMicroelectronics | STMicroelectronics | STMicroelectronics | STMicroelectronics |
| パッケージ | Tube | Tube | Tube | Tube |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 70 nC @ 5 V | 160 nC @ 10 V | 104 nC @ 10 V | 66 nC @ 4.5 V |
| Vgs（最大） | ±15V | ±20V | ±20V | ±15V |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 14mOhm @ 30A, 10V | 16mOhm @ 30A, 10V | 23mOhm @ 40A, 10V | 14mOhm @ 30A, 10V |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 5V, 10V | 10V | 10V | 10V, 5V |
| 運転温度 | 175°C (TJ) | 175°C (TJ) | - | -65°C ~ 175°C (TJ) |
| 装着タイプ | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
| シリーズ | STripFET™ | - | STripFET™ II | STripFET™ II |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 2.5V @ 250µA | 4V @ 250µA | 4V @ 250µA | 1V @ 250µA |
| パッケージ/ケース | TO-220-3 | TO-220-3 | TO-220-3 | TO-220-3 |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 4150 pF @ 25 V | 6200 pF @ 25 V | 4270 pF @ 25 V | 2000 pF @ 25 V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 60A (Tc) | 60A (Tc) | 80A (Tc) | 60A (Tc) |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| FET特長 | - | - | - | - |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 60 V | 60 V | 100 V | 60 V |
| サプライヤデバイスパッケージ | TO-220 | TO-220 | TO-220 | TO-220 |
| 基本製品番号 | STP60N | STP60N | STP60 | STP60 |
| 電力消費（最大） | 150W (Tc) | 150W (Tc) | 300W (Tc) | 110W (Tc) |
| FETタイプ | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
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STP60NE06-16STMicroelectronicsMOSFET N-CH 60V 60A TO220ABSTP60NF10STMicroelectronicsMOSFET N-CH 100V 80A TO220ABSTP60NF06LSTMicroelectronicsMOSFET N-CH 60V 60A TO220AB
STP60NF06FPSTMicroelectronicsMOSFET N-CH 60V 30A TO220FP
STP60N06FIVBSEMI
STP60NE03LSTMicroelectronicsSTP60N06STMicroelectronicsSTP60N55F3STMicroelectronicsMOSFET N-CH 55V 80A TO220ABSTP60N3LH5STMicroelectronicsMOSFET N-CH 30V 48A TO220ABSTP60N05-14VBSEMISTP60NE10STMRCSTP60N06-14STMicroelectronicsSTP60N05STMicroelectronicsSTP60NE06VBSEMISTP60NF10 MOSSTMicroelectronicsSTP60NF03LSTMicroelectronicsMOSFET N-CH 30V 60A TO220ABSTP60NH2LLSTMicroelectronicsMOSFET N-CH 24V 40A TO220ABSTP60NF06STMicroelectronicsMOSFET N-CH 60V 60A TO220AB| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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