STP4NB100の技術仕様
STMicroelectronics - STP4NB100技術仕様、属性、パラメーター、およびSTMicroelectronics - STP4NB100仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | STMicroelectronics | |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 5V @ 250µA | |
| Vgs（最大） | ±30V | |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| サプライヤデバイスパッケージ | TO-220 | |
| シリーズ | PowerMESH™ | |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 4.4Ohm @ 2A, 10V | |
| 電力消費（最大） | 125W (Tc) | |
| パッケージ/ケース | TO-220-3 | |
| パッケージ | Tube |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| 運転温度 | 150°C (TJ) | |
| 装着タイプ | Through Hole | |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 1400 pF @ 25 V | |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 45 nC @ 10 V | |
| FETタイプ | N-Channel | |
| FET特長 | - | |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V | |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 1000 V | |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 3.8A (Tc) | |
| 基本製品番号 | STP4N |
右側の三つのパーツはSTMicroelectronics STP4NB100と同様の仕様
| 製品属性 |  |
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|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | STP4NB100 | STP4NB50 | STP4N90K5 | STP4NB80 |
| メーカー | STMicroelectronics | STMicroelectronics | STMicroelectronics | STMicroelectronics |
| サプライヤデバイスパッケージ | TO-220 | TO-220 | TO-220 | TO-220 |
| 電力消費（最大） | 125W (Tc) | 80W (Tc) | 60W (Tc) | 100W (Tc) |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 3.8A (Tc) | 3.8A (Tc) | 3A (Tc) | 4A (Tc) |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 1400 pF @ 25 V | 400 pF @ 25 V | 173 pF @ 100 V | 920 pF @ 25 V |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 5V @ 250µA | 4V @ 250µA | 5V @ 100µA | 5V @ 250µA |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V | 10V | 10V | 10V |
| パッケージ/ケース | TO-220-3 | TO-220-3 | TO-220-3 | TO-220-3 |
| 装着タイプ | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
| パッケージ | Tube | Tube | Tube | Tube |
| シリーズ | PowerMESH™ | PowerMESH™ | MDmesh™ K5 | PowerMESH™ |
| 基本製品番号 | STP4N | STP4N | STP4N90 | STP4N |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 4.4Ohm @ 2A, 10V | 2.8Ohm @ 1.9A, 10V | 2.1Ohm @ 1A, 10V | 3.3Ohm @ 2A, 10V |
| 運転温度 | 150°C (TJ) | 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | 150°C (TJ) |
| FETタイプ | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 1000 V | 500 V | 900 V | 800 V |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 45 nC @ 10 V | 21 nC @ 10 V | 5.3 nC @ 10 V | 29 nC @ 10 V |
| FET特長 | - | - | - | - |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs（最大） | ±30V | ±30V | ±30V | ±30V |
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STP4NA60FISTMicroelectronicsSTP4NA60FPSTMicroelectronicsSTP4NB50FPSTMicroelectronicsSTP4NC60ASTMicroelectronicsSTP4NB80FPSTMicroelectronicsSTP4NB100FPSTMicroelectronicsSTP4NB30FPSTMicroelectronicsSTP4NA90STMicroelectronicsSTP4NB50STMicroelectronicsMOSFET N-CH 500V 3.8A TO220ABSTP4NB80 4N80 4NK80STMicroelectronicsSTP4N90K5STMicroelectronicsMOSFET N-CH 900V 3A TO220STP4NC60STMicroelectronicsSTP4NB80STMicroelectronicsMOSFET N-CH 800V 4A TO220ABSTP4N80ZSTMicroelectronicsSTP4NA60FP MOSSTMicroelectronicsSTP4NB30STMicroelectronicsSTP4NA60STMicroelectronicsSTP4N80K5 MOSSTMicroelectronics| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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