STP4N80K5の技術仕様
STMicroelectronics - STP4N80K5技術仕様、属性、パラメーター、およびSTMicroelectronics - STP4N80K5仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | STMicroelectronics | |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 5V @ 100µA | |
| Vgs（最大） | ±30V | |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| サプライヤデバイスパッケージ | TO-220 | |
| シリーズ | SuperMESH5™ | |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 2.5Ohm @ 1.5A, 10V | |
| 電力消費（最大） | 60W (Tc) | |
| パッケージ/ケース | TO-220-3 | |
| パッケージ | Tube |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| 装着タイプ | Through Hole | |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 175 pF @ 100 V | |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 10.5 nC @ 10 V | |
| FETタイプ | N-Channel | |
| FET特長 | - | |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V | |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 800 V | |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 3A (Tc) | |
| 基本製品番号 | STP4N80 |
| 属性 | 説明 |
|---|---|
| RoHS ステータス | |
| 湿度感度レベル（MSL） | 1 (Unlimited) |
| 州に到達します | REACH Unaffected |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS |
右側の三つのパーツはSTMicroelectronics STP4N80K5と同様の仕様
| 製品属性 |  |
 |
|
|
|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | STP4N80K5 | STP4LN80K5 | STP4N52K3 | STP4N62K3 |
| メーカー | STMicroelectronics | STMicroelectronics | STMicroelectronics | STMicroelectronics |
| パッケージ/ケース | TO-220-3 | TO-220-3 | TO-220-3 | TO-220-3 |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 2.5Ohm @ 1.5A, 10V | 2.6Ohm @ 1A, 10V | 2.6Ohm @ 1.25A, 10V | 1.95Ohm @ 1.9A, 10V |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V | 10V | 10V | 10V |
| Vgs（最大） | ±30V | ±30V | ±30V | ±30V |
| 電力消費（最大） | 60W (Tc) | 60W (Tc) | 45W (Tc) | 70W (Tc) |
| FETタイプ | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 175 pF @ 100 V | 122 pF @ 100 V | 334 pF @ 100 V | 450 pF @ 50 V |
| サプライヤデバイスパッケージ | TO-220 | TO-220 | TO-220 | TO-220 |
| 装着タイプ | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 800 V | 800 V | 525 V | 620 V |
| FET特長 | - | - | - | - |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 10.5 nC @ 10 V | 3.7 nC @ 10 V | 11 nC @ 10 V | 14 nC @ 10 V |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | 150°C (TJ) | 150°C (TJ) |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 3A (Tc) | 3A (Tc) | 2.5A (Tc) | 3.8A (Tc) |
| 基本製品番号 | STP4N80 | STP4LN80 | STP4N52 | STP4N |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 5V @ 100µA | 5V @ 100µA | 4.5V @ 50µA | 4.5V @ 50µA |
| パッケージ | Tube | Tube | Tube | Tube |
| シリーズ | SuperMESH5™ | MDmesh™ K5 | SuperMESH3™ | SuperMESH3™ |
STP4N80K5 - STMicroelectronicsのSTP4N80K5 PDFデータテーブルとSTMicroelectronicsドキュメントをダウンロード
STP4NA80STMicroelectronicsSTP4LN80K5STMicroelectronicsMOSFET N-CHANNEL 800V 3A TO220STP4N100FISTMicroelectronicsSTP4NA60FISTMicroelectronicsSTP4N52K3STMicroelectronicsMOSFET N-CH 525V 2.5A TO220STP4NA60FPSTMicroelectronicsSTP4N100STMicroelectronicsSTP4N62K3STMicroelectronicsMOSFET N-CH 620V 3.8A TO220STP4N80K5 MOSSTMicroelectronicsSTP4NA60FP MOSSTMicroelectronicsSTP4N90K5STMicroelectronicsMOSFET N-CH 900V 3A TO220STP4N80ZSTMicroelectronics
STP4CMPQTRSTMicroelectronicsIC LED DRVR RGLTR PWM 30MA 20QFNSTP4N20STMicroelectronicsSTP4NA60STMicroelectronicsSTP4N25STMicroelectronicsSTP4N90K5 4N90K5STMicroelectronicsSTP4N150STMicroelectronicsMOSFET N-CH 1500V 4A TO220AB| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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