STP35NF10の技術仕様
STMicroelectronics - STP35NF10技術仕様、属性、パラメーター、およびSTMicroelectronics - STP35NF10仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | STMicroelectronics | |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 4V @ 250µA | |
| Vgs（最大） | ±20V | |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| サプライヤデバイスパッケージ | TO-220 | |
| シリーズ | STripFET™ II | |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 35mOhm @ 17.5A, 10V | |
| 電力消費（最大） | 115W (Tc) | |
| パッケージ/ケース | TO-220-3 | |
| パッケージ | Tube |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| 運転温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| 装着タイプ | Through Hole | |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 1550 pF @ 25 V | |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 55 nC @ 10 V | |
| FETタイプ | N-Channel | |
| FET特長 | - | |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V | |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 100 V | |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 40A (Tc) | |
| 基本製品番号 | STP35N |
右側の三つのパーツはSTMicroelectronics STP35NF10と同様の仕様
| 製品属性 |  |
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|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | STP35NF10 | STP34NM60N | STP34NM60ND | STP35N65M5 |
| メーカー | STMicroelectronics | STMicroelectronics | STMicroelectronics | STMicroelectronics |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 100 V | 600 V | 600 V | 650 V |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V | 10V | 10V | 10V |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 35mOhm @ 17.5A, 10V | 105mOhm @ 14.5A, 10V | 110mOhm @ 14.5A, 10V | 98mOhm @ 13.5A, 10V |
| Vgs（最大） | ±20V | ±25V | ±25V | ±25V |
| サプライヤデバイスパッケージ | TO-220 | TO-220 | TO-220 | TO-220 |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| 基本製品番号 | STP35N | STP34 | STP34 | STP35N |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 1550 pF @ 25 V | 2722 pF @ 100 V | 2785 pF @ 50 V | 3750 pF @ 100 V |
| 装着タイプ | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
| パッケージ | Tube | Tube | Tube | Tube |
| FET特長 | - | - | - | - |
| パッケージ/ケース | TO-220-3 | TO-220-3 | TO-220-3 | TO-220-3 |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 40A (Tc) | 29A (Tc) | 29A (Tc) | 27A (Tc) |
| 電力消費（最大） | 115W (Tc) | 250W (Tc) | 190W (Tc) | 160W (Tc) |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 55 nC @ 10 V | 80 nC @ 10 V | 80.4 nC @ 10 V | 83 nC @ 10 V |
| 運転温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 150°C (TJ) | 150°C (TJ) | 150°C (TJ) |
| FETタイプ | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
| シリーズ | STripFET™ II | MDmesh™ II | FDmesh™ II | MDmesh™ V |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 4V @ 250µA | 4V @ 250µA | 5V @ 250µA | 5V @ 250µA |
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STP34NM60NSTMicroelectronicsMOSFET N-CH 600V 29A TO220-3
STP36N55M5 MOSSTMicroelectronicsSTP34NM60NDSTMicroelectronicsMOSFET N-CH 600V 29A TO220STP34N65M5 MOSSTMicroelectronicsSTP35N65M5STMicroelectronicsMOSFET N-CH 650V 27A TO220ABSTP36NF06LSTMicroelectronicsMOSFET N-CH 60V 30A TO220ABSTP36NE06STMicroelectronics
STP3481-T1STANSONSTP34NM60N 34NM60NSTMicroelectronicsSTP38N65M5STMicroelectronicsMOSFET N-CH 650V 30A TO220STP34N65M5STMicroelectronicsMOSFET N-CH 650V 28A TO220
STP36NF06FPSTMicroelectronicsMOSFET N-CH 60V 18A TO220FP
STP35N65DM2STMicroelectronicsMOSFET N-CH 650V 32A TO220STP36NE06FPSTMicroelectronicsSTP35N60DM2STMicroelectronicsMOSFET N-CH 600V 28A TO220STP36NF06STMicroelectronicsMOSFET N-CH 60V 30A TO220ABSTP36NF06L MOSSTMicroelectronicsSTP36N55M5STMicroelectronicsMOSFET N-CH 550V 33A TO220| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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